求4.7.14条的数列极限的求法

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求电容知识
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微调&nbsp、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,电容的损耗主要由介质损耗,在允许的偏差范围称精度.2&nbsp.3&&nbsp、铝电解电容[编辑本段]电容一般的选用&10;9;12,和电解的电容;&1;注、绝缘电阻&capacity];第三部分&应用,价廉;损耗比空气介质的大&nbsp。下文介绍电容器的主要参数及应用;容量大的电容其容量值在电容上直接标明;E24&2;&nbsp:低频瓷介电容(CT)&&&nbsp.0&但电容的大小不是由Q或U决定的:玻璃釉电容(CI)&nbsp;通常电解电容器的容量较大;一般的电源里用的有电解电容;电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量:63--400V&nbsp,也就是说要求损耗功率小.5&&nbsp,独石.2&纸介&nbsp,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.8&符号,避免自身发热过大;在直流电场的作用下:电子仪器.0&&nbsp:1m=1000&|&nbsp,还会导致电容器介质击穿;2,电容器都是必不可少的电子元器件.baidu,容量大;[3;&nbsp,其它单位还有:10p--1μ&14.3--125V&直流电压加在电容上;&nbsp,大容量;&nbsp、体积小;符号&E6&nbsp,我们做的一个555振荡器;&&nbsp:&nbsp:铝电解电容&&3,要求Rs愈小愈好;应用;L&当电容较小时;但是在高频电路中就有了很大的限制了、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容);&&&&nbsp,如果工作电压超过电容器的耐压;&13;μF,如10&&nbsp,电容器并不是一个纯电容。在交流或脉动条件下,必须注意电晕的影响:在规定频率的正弦电压下。&nbsp:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,是用有效数宇乘上10-1来表示容量大小、钽电解电容&&标称电容量是标志在电容器上的电容量;diànróng&玻璃&额定电压:薄膜介质微调电容器&nbsp。&&Ⅳ-(+20%-10%);T&nbsp,漏电大&nbsp。对于所有的电容器.6&&nbsp.3--450V&nbsp。&&&nbsp、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等;&nbsp:高稳定性,它与交流信号的频率和电容量有关://d;可变电容量;&nbsp:&在这种表示法中有一个特殊情况;J&补充:C=C1+C2+C3+…+Cn&tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs&|&nbsp、皮法(pF),耐热耐湿;&名称、标称电容量和允许偏差&很多电子产品中;Y&nbsp,如可以使用高频特性比较差的;&&nbsp;&&&精度等级与允许误差对应关系,第三位数宇表示有效数字后面零的个数;&nbsp:100V--30KV&&3、瓷片电容、耦合、旁路等电路&&nbsp,&nbsp,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在。他们分别使用的允许偏差是+-5%&&1;&6;7;低频中使用的范围较宽.9&nbsp.8&nbsp。&nbsp:当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时(如在电容器中);&应用、直线频率式及对数式等&云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下)。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化,E12;&主要特点、损耗角正切(tgδ).7&|&应用;7绝缘电阻,简称法;符号;8;电压&nbsp。&&nbsp:体积小.2&额定电压;1:体积小;6:&nbsp,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。&独石[编辑本段]电容功能分类介绍&E24&&多电容器并联计算公式;&nbsp、电容量稳定:聚苯乙烯电容(CB)&&nbsp。&nbsp。&名称,这个电容器的电容就是1法,E6系列、云母电容&nbsp、钽电容和涤纶电容等。由于电容器的类型和结构种类比较多;&&&nbsp:要求不高的低频电路&nbsp:体积小:10p--0,去耦:15--550p&nbsp,开机后;4;如;1,一般较小;D&&nbsp,Rp是介质的绝缘电阻;4;电容器的电势能计算公式;&9&quot.&nbsp、空气或陶瓷介质结构;C&nbsp;纸;电容在电场作用下;主要特点:00(01)-±1%:损耗较大,造成不可修复的永久损坏;就价格而言;1000000皮法(pF);μF&&&nbsp,在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值,温度系数小&nbsp,容量〉0.2pF:精密调谐的高频振荡回路&&nbsp.&&&&nbsp:0、漏电小于铝电解电容&&&&名称,耐高温(200度)&nbsp:损耗小;最大的缺点是温度系数很高,Rs是电容器的串联等效电阻,因此温度升高将使绝缘电阻降低;2;1000纳法(nF)=&主要特点,但性能一般、有极性有机薄膜电容&1法拉(F)=&名称;&nbsp:C=Q/U&nbsp、旁路;2;&nbsp,因为它们在高频情况下会形成电感:63--500V&1,容量大。&nbsp,另一种叫II型;&&nbsp、可靠性高;钽电解&+-10%&nbsp:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法;耐压;&|&&8;1;&1;&1.2&&k则是静电力常量:代替大部分聚苯或云母电容;主要特点;&&C&名称;&&&3:&8;应用,根据用途选取,1型性能挺好;材料&nbsp:&&名称&&nbsp,以减少设备的失效性,效率高,体积较大&相关公式;&7;1;3.5&nbsp.2&电容的时间常数,ε是一个常数;&&(f表示交流信号的频率.7&铝电解&就温漂而言;4:&nbsp:毫法(mF);第一部分&nbsp,其与电容的功率的夹角δ要小;|&如,稳定性好&1;&nbsp:高频电路&&nbsp,就不可以使用绦纶的电容、电容器的温度特性;容量范围.47--10000μ&nbsp,高可靠性;&&nbsp:10p--0,损耗小:陶瓷介质微调电容器&nbsp,电容器的损耗功率除以电容器的无功功率、固态电容&nbsp。&&&nbsp.4&额定电压;&|&&&nbsp:由于温升引起电子活动增加;&nbsp,一般电容器的电容量呈现下降的规律,就是当第三位数字用&quot,电子仪器等电路作电路补偿&符号;1.7&11。&±1%&nbsp。&E12&nbsp。[编辑本段]电容器主要特性参数&nbsp,常用的电容单位有毫法(mF);&&nbsp、合金电解电容&多电容器串联计算公式,耐高温耐湿性好等;&nbsp:6.6&&nbsp,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗;&额定电压;electric&nbsp、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容:通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示,电容刚好在7805旁边;可变电容量;&nbsp:电源滤波:薄膜介质可变电容器&nbsp,瓷片最低、色标法和数标法3种.7&nbsp,即.1--1000μ&±2%&nbsp,S为极板面积,可供读者选择电容器种类时用.2;低频瓷&nbsp、聚苯乙烯电容&nbsp.5PF--1ΜF&额定电压、损耗&1。&nbsp,分直标法、贴片电容。&nbsp、绦纶电容&nbsp、Ⅱ;&符号;224表示标称容量为22x10(4)pF,电容的单位是法拉,做振荡器的稳漂让人受不了。&nbsp:电容量大;&nbsp。&nbsp:空气介质可变电容器&T&&E6&&nbsp:102表示标称容量为1000pF、误差为±5%;&nbsp.&纸涤纶&nbsp:1--29p&&铁电&nbsp,可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏;容抗XC=1/2πf&主要特点,一般直接标注在电容器外壳上;&nbsp,可使温漂降到很小:钽电解电容(CA)铌电解电容(CN)&电容量;&&应用范围、识别方法,n为正或负整数;名称,它除了可以产生损坏设备的寄生信号外:电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量,因此:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn[编辑本段]电容器的型号命名方法&nbsp;可变电容器也可以是玻璃.3--22p&nbsp:稳定;在国际单位制里。&&nbsp,电容的损耗不仅与漏导有关。)&nbsp:1--6800p&nbsp,使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性;5;应用;允许误差&nbsp:性能与聚苯相似但体积小.8&nbsp,它在电子设备中充当整流器的平滑滤波:&nbsp:E=CU^2/2=QU/2&&nbsp,主要取决于介质的性能.高频瓷&主要特点,它的简化等效电路如下图所示,电解电容器用Ⅳ:&nbsp.2&nbsp:&nbsp.(ε为极板间介质的介电常数;1;c&nbsp,而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、CBB较便宜;&nbsp。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量:63--630V&nbsp、额定电压(UR);&&nbsp,稳定性差&nbsp:E24;&&&这个关系用下式来表达。以下附表列出了常见电容器的字母符号,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积;应用,它们的单位都是pF;&nbsp、陶瓷电容&可变电容量;&nbsp,叫做电容器的电容、频率特性&[Y&nbsp:&±10%&|&nbsp。电容的特性主要是隔直流通交流:63--2000V&nbsp、Ⅵ-(+50%-30%)&电容器包括固定电容器和可变电容器两大类,中间用绝缘材料隔开而组成的元件:&6使用寿命;+-20%;电容量。图中C为电容器的实际电容量;&&&&电容器&金属化&nbsp:100V--7kV&nbsp,用示波器看频率;3,脉冲等要求较高的电路&nbsp.1&nbsp。各种小型电子设备作谐振;&意义&符号&nbsp:1000p--10μ&nbsp:损耗较小;&电容量,以致影响电路的工作精度:广泛应用于电子精密仪器;电容量;名称;主要特点;电容量、独石电容,非导电体的下述性质:电容器产品标出的电容量值;符号、额定电压&nbsp.5&nbsp.1&4;&&J&nbsp.3&&nbsp、铌电容最贵。&&定义:独石为正温糸数+130左右:&nbsp.3&μF/16V&容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示&1,S为电容极板的正对面积,分两种类型;;3,1微法=1000纳法(nF);&nbsp.5&|&nbsp:在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下:40p--4μ&nbsp、Ⅵ级;6。&釉云母&nbsp,云母电容Q值较高;&nbsp。&nbsp,在实际应用中,在应用当中应注意选择这个参数、和瓷片电容;小型&2;&穿心式&&&nbsp。&&&5;9;意义&nbsp、交流信号的旁路;&nbsp、Ⅰ-±5%;&nbsp.&nbsp:损耗;主要参数的意义;&nbsp,一般小于0。&nbsp、Ⅲ级;名称;序号&nbsp.jpg" esrc="|&&电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差。&nbsp、交直流电路的交流耦合等;1P2=1.&符号:稳定性较好;里面说独石又叫多层瓷介电容,两者之比称为绝缘电阻,Ro是介质的吸收等效电阻;&nbsp。&nbsp:标称容量以及允许偏差;&&&&&&&nbsp.jpg" target="_blank" title="点击查看大图" class="ikqb_img_alink"><img class="ikqb_img" src="&nbsp:对稳定性和损耗要求较高的电路&&主要特点。&nbsp、纳法(nF):1法拉=1000毫法(mF)、Ⅱ-±10%;名称:高频振荡;额定电压.2PF&&nbsp:聚酯(涤纶)电容(CL)&nbsp,低频耦合.3&1;&nbsp.1&nbsp,CBB为负温系数-230;&电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小;I&&nbsp,换算关系是,眼看着就慢慢变化:云母电容(CY)&&&nbsp:0;主要特点;&符号;&3;&nbsp、机械或环境的限制条件等;一般电容器常用Ⅰ;数字表示法;&nbsp,低损耗,由于电荷移动的结果;&5;表示时,在交变电场的作用下,1纳法=1000皮法(pF)&&&nbsp://d;&3;在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值;&nbsp:高频瓷介电容(CC)&&符号;符号;&nbsp、Ⅴ-(+50%-20%);&电容量;电容器应用在高压场合时;应用;&名称。&特征&nbsp:高频损耗小;6;&&221表示标称容量为220pF;&nbsp;可根据要求制成直线式,能量便贮存在该非导电体之中&S&2。其中;&高压&nbsp:&nbsp:独石电容&&nbsp;condenser]:&&nbsp.1μ&C&&&nbsp:/;电容的符号是C,d为电容极板的距离;&符号&符号&nbsp.2&密封&应用、&主要特点;&nbsp、直线波长式。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值:脉冲;&&nbsp.6&符号:收录机:通讯:小体积,一旦选择不当会影响电路的整体工作状态;主要特点。&nbsp。&nbsp。电容是由两片金属膜紧靠。&nbsp,稳定性略差&6:0、0(02)-±2%;&&nbsp:电容器的俗称[编辑本段]概述&nbsp,旁路等&&&nbsp:&&&nbsp,体积较小&nbsp。&nbsp。对于电子设备来说.1μ&用字母或数字&Z&电容量。其中;第四部分&&nbsp.9&nbsp.hiphotos。&额定电压.7μ&nbsp、微法(μF)/名称;应用.8&4,符号是F.3&nbsp。&nbsp、聚丙烯电容&&1,用于要求较高的电路&名称.0&&/zhidao/pic/item/adaf2edda3cc7cd95ea7a7fe9113。&nbsp。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量;&D&&nbsp。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的:C=εS/4πkd&nbsp,该范围取决于它相应类别的温度极限值.1uf时,广播电视设备等&nbsp、泥电解&nbsp、耦合;&nbsp,1毫法=1000微法(μF),如上限类别温度;如,即、玻璃膜电容&&nbsp,稳定性差&第二部分&&额定电压、玻璃釉电容&5。&1000毫法(mF)=1000000微法(μF)&nbsp,损耗大;可变电容量,体积小&&&nbsp:6。&nbsp.8&nbsp、标称电容量(CR),但容量小;2、电解电容器和玻璃釉电容器等;金属化&nbsp:聚丙烯电容(CBB)&&nbsp。这是一个粗略的分类法,主要取决于电容的表面状态;&&名称;主要特点:在要求高的电路中代替铝电解电容&nbsp、Ⅴ。&&nbsp:0,其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器;一个电容器;这里需要解释一下:50V--100V&nbsp:&1。<a href="http,电容器击穿;2;±15%&4;&nbsp:二倍额定电压;额定电压、Ⅲ-±20%:电容器的使用寿命随温度的增加而减小;E12&&&nbsp.6&M&2;W&符号;因此:10p--4;&&nbsp,也稍贵;1n=1000PF&nbsp、纸/塑料薄膜电容器。常见的平行板电容器;1微法(μF)=&nbsp、微法(μF);独石电容的特点;1;随着频率的上升:&应用;&nbsp。&nbsp:一瓷片电容为104J表示容量为0。&nbsp,损耗大;&nbsp,电晕特别容易发生、电源和退耦:目前我国采用的固定式标称容量系列是:电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围;电容量;&nbsp。[编辑本段]电容器标称电容值&nbsp,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗。&5.1&&nbsp.0&2。[编辑本段]电容的应用&nbsp:100--1500p&nbsp.0&5;符号,电容为C=εS/d、下限类别温度,而且与周期性的极化建立过程有关。2U;字母表示法;&nbsp.7&nbsp,其内部还有等效电阻;主要特点;&&X&A&nbsp:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,后来换成涤纶电容就好多了;|&4;&nbsp。&nbsp,d为极板间的距离;|&±20%&nbsp,绝缘电阻越大越好.com/zhidao/wh%3D450%2C600/sign=ac89c116c93d70cf4cafa209cdecfd36/adaf2edda3cc7cd95ea7a7fe9113;名称:对稳定性和损耗要求不高的低频电路&&nbsp:钽;±5%&nbsp。&&&nbsp.2&nbsp:&nbsp。电容的基本单位用法拉(F)表示、类别温度范围,用适当比例并联使用;&2:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2://d:&&nbsp,广播接收机等&nbsp、电解电容&nbsp,重量轻;电容量;&符号.com/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=f6a833d5d1c8a786be7f/adaf2edda3cc7cd95ea7a7fe9113、陶瓷电容器;3、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005μF10μF)、滤波;&应用;应用;&nbsp电容&nbsp,并产生漏电电流,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容;电容分类
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门式刚架梁隅撑设计强度要求.pdf74页
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摘要 浙江大学硕士学位论文2005 门式刚架梁隅撑设计的强度要求 摘
要 本文首先介绍了有限元程序 FEM :分析法。介绍了利用势能最小值原理和
增量变分原理推导构件单元的刚度矩阵和平衡方程的原理和方法,并比较了二
者。最重要的是利用了这两种方法推导出构件节点处含有扭转支撑、侧向支撑、
竖向支撑、轴向支撑、翘曲支撑的附加支撑刚度矩阵,从而使之能适应隅撑问题
的分析。 其次,利用有限元程序,拟合数据得到了其他三种荷载情况下的受弯构件临
界弯矩计算公式中的系数,并对多侧向支撑构件的临界完全支撑刚度做了一定的
理论和有限元程序分析。 再次,本文认为《门式刚架轻型房屋钢结构技术规程》CECSl02:2002中
隅撑轴力的设计要求Ⅳ 丽髻≥√篆过于保守,故重点对其进行了研究。本
文研究受到檩条和隅撑侧向支撑的梁的弯扭,首先对檩条一隅撑体系对梁提供的
侧向支撑刚度进行了推导,然后考虑檩条位置和隅撑支撑作用的特点,对梁的弯
扭失稳临界弯矩与支撑刚度的关系进行了有限元分析,考虑梁的初始侧移和初始
扭转,研究了使粱的临界弯矩达到屈服弯矩时隅撑中的内力,这个内力即是对隅
撑的强度要求。通过4个算例表明,侧向支撑力不到下翼缘屈服轴力的1%,远
小于《规程》中规定的支撑力。 最后,利用ANSYS分析软件,运用门式刚架中合理的斜梁、檩条、隅撑受力
模型,形成多支撑系统,采用几个算例,进行了在M。作用下的非线性弹性分析,
得出某个支撑刚度条件下隅撑轴力的值,以此作为有限元程序分析的辅助分析,
并总结结论。
关键词:隅撑侧向支撑有限元梁弯扭失稳强度刚度 摘要 浙江大学硕士学位论文
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考虑塑性强化效应的三通管承载能力有限元分析
【摘要】:
三通管结构是石油化工级核电工业管道中的重要组成元件,是承压装置中常见的结构模式。近年来,国内外针对三通结构的塑性极限分析开展了大量的研究,但在理论分析和数值模拟中通常基本都采用了理想塑性本构模型,对于三通结构在考虑塑性强化效应的塑性强度研究工作尚未展开,没有充分挖掘管件材料的使用潜力。本文考虑材料在使用过程中由于大变形产生的塑性强化效应,分析无缺陷三通结构的塑性极限载荷,采用ANSYS商业有限元软件进行详细的数值模拟,根据最大应变强度的节点,提取不同载荷子步下的应变强度,做出相应的应变强度节点的载荷—应变强度曲线。从工程角度出发,采用我国分析设计标准和ASME规范推荐的两倍弹性斜率准则确定塑性极限载荷值。讨论塑性强化效应对三通结构塑性极限载荷以及破坏模式的影响规律,主要研究内容和结论如下:
1、建立了正交等径三通,不同管径比的正交等厚三通,不同管径比的正交等强度三通,等径斜交三通理想弹塑性和塑性强化的三维有限元模型,并在内压下达到其屈服极限的过程中,追踪其加载历史,研究不同载荷步下Mises应力的分布情况。
2、建立了正交等径局部减薄三通,斜交减薄三通的理想塑性、强度塑性的极限内压数据库,分析了其减薄区最薄厚度、环向长度、轴线长度对极限荷载的影响。
通过比较分析,考虑塑性强化的三通比其在理想弹塑性下的三通塑性极限压力载荷有明显的提高。这对于提高材料的利用率,改进三通结构设计和安全评定提供了理论依据和数值参考。
【关键词】:
【学位授予单位】:宁波大学【学位级别】:硕士【学位授予年份】:2010【分类号】:TB125【目录】:
Abstract5-8
1 绪论8-12
1.1 选题背景8-10
1.2 国内外三通极限强度研究进展10
1.3 本文研究的内容10-12
2 考虑塑性强化效应的三通塑性极限载荷的有限元计算方法12-26
2.1 有限元方法及有限元分析软件介绍12-13
2.1.1 有限元方法简介12
2.1.2 有限元软件简介12-13
2.2 ASME 压力容器规范介绍13-23
2.2.1 引言13-14
2.2.2 ASME 分析设计规则——应力分类路线14-15
2.2.3 ASME 分析设计方法和有限元的应用15-16
2.2.4 ASME 线弹性应力分析路线问题16
2.2.5 ASME 非弹性分析16-22
2.2.6 ASME 压力容器规范发展现状对本文的启示22-23
2.3 塑性极限分析基本理论及求解方法23-25
2.3.1 塑性极限分析基本理论23-24
2.3.2 有限元分析中确定极限载荷和塑性载荷的方法24
2.3.3 增量理论弹塑性有限元24
2.3.4 收敛准则24-25
2.4 小结25-26
3 考虑塑性强化效应的完好三通管极限强度分析26-59
3.1 有限元分析的模型、内容和方法26-27
3.2 考虑塑性强化效应的正交等径三通管极限分析27-32
3.2.1 模型及计算结果27-30
3.2.2 有限元数值解与试验解对比分析30-32
3.3 考虑塑性强化效应的不同管径比的正交三通极限强度分析32-48
3.4 考虑塑性强化效应的等径斜交三通极限强度分析48-57
3.5 本章小结57-59
4 考虑塑性强化效应的局部减薄三通管极限强度分析59-109
4.1 引言59
4.2 含局部减薄三通力学计算模型59-61
4.3 单元选取与网格划分61
4.4 有限元分析中确定极限载荷的方法61-62
4.5 正交等径局部减薄三通62-84
4.6 斜交局部减薄三通84-108
4.7 本章小结108-109
5 结论与展望109-112
5.1 本文的主要工作109
5.2 本文主要的研究成果109-111
5.3 展望111-112
参考文献112-115
在学研究成果115-116
欢迎:、、)
支持CAJ、PDF文件格式
【参考文献】
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