SW-365演员都叫什么名字？这个女忧叫什么？_百度知道
SW-365演员都叫什么名字？这个女忧叫什么？
///zhidao/wh%3D600%2C800/sign=fcf3dec3e7b162a4dedc27/500fd9f9d72adc82ebba45.baidu.jpg" esrc="http://b.jpg" target="_blank" title="点击查看大图" class="ikqb_img_alink"><img class="ikqb_img" src="/zhidao/wh%3D450%2C600/sign=edca7d0cf61f3a295a9dddcaacfd9f9d72adc82ebba45.baidu.hiphotos.hiphotos.baidu<a href="http://b.com/zhidao/pic/item/500fd9f9d72adc82ebba45
提问者采纳
165cm罩杯: 88cm: 58cm臀围，核对请采纳，个人评价90分水野朝阳身高，请叫我唐马儒: F胸围: 90cm腰围
提问者评价
赞！确定唐马儒无误！
其他类似问题
为您推荐：
等待您来回答
下载知道APP
随时随地咨询
出门在外也不愁人人BT搜索神器为您找到“sw 349演员”的相关搜索结果
热门搜索：
大家都在搜：
sw 349演员 相关搜索SW-349现货库存、热门库存，SW-349资料详细参数、SW-349PDF下载,驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器 -
您现在的位置： >
应用说明S2079驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器牧师V5介绍许多M / A - COM公司的GaAs FET开关和数字衰减器不能用简单的TTL或直接操作CMOS逻辑电路，而是需要外部电路以提供适当的控制电压。此应用程序注意， M539的更新，驱动程序的GaAs MMIC FET开关和数字衰减器，提供信息在M / A - COM的SW- 109和SWD- 119驱动器和其它市售的数字逻辑集成电路的控制的开关和数字衰减器。图2示出了一个3位的数字衰减器。应用正确偏置电压和它的补码的任何阶段切换垫为该阶段到的RF信号路径。射频共RF1Q2Q3RF2Q1Q4砷化镓场效应管的砷化镓控制设备，如开关和数字衰减器通常采用场效应晶体管（ FET的） 。最常见的场效应晶体管是正道耗尽型器件，其具有低的源 -对漏极电阻在没有栅极偏压的，并且允许电流IDSS的流动。用的应用程序负栅极偏置电压，电场下门使导电沟道变窄，增加了源 - 漏电阻。门电压产生足够高的电阻，以减小在源 - 漏电流（典型）1
- 2％的IDSS的是被称为夹断电压。对于M / A- COMFET的,.夹断电压通常为-2.5伏。如果该晶体管被偏置在极端， （0 V和-5 V通常情况下） ，和关闭开关的结果，提供了依据这两个砷化镓开关和数字衰减器。控制＆ QUOT ; A＆ QUOT ;控制＆ QUOT ; B＆ QUOT ;双控开关真值表控制的控制B-5 V0V0V-5 V射频共为RF1On关闭射频共到RF2关闭On典型的互补逻辑控制电压：逻辑低逻辑高0 V至-2 V @ 20μA马克斯。-5 V至40μA（典型值） 。到-8 V @ 200μA最大。开关电路拓扑在开关场效应管的布置两个系列，并分流器配置。该系列场效应管的提供通路径为导通状态，而并联FET的提供隔离为断开状态。的操作交换机需要串联FET的和并联FET的与每个开关状态相关联的具有相反（或互补）导通状态，因此相反（或补充）门的偏见。为例如，图1示出了一个典型的操作双控SPST的GaAs MMIC开关。如果RF到RF1路径是在与所述RF到RF2路径是关闭的，则场效应管Q2和Q4偏上，而Q1和Q3是偏置截止。数字衰减器使用与电路串联/并联阶段形成固定衰减器组件，对应于数字衰减位，交换或出的传送路径的，无论是单独或组合。交换机需要补充的偏见电压为每个状态，而数字衰减器要求互补的偏置电压，以激活每个位。1访问额外的数据表和产品信息。图1：典型的双控开关（ SW- 239等）VC1VC1VC2VC2VC3VC3RF 1RF 216分贝PAD8分贝PAD4分贝PAD图2 ：基于开关垫数字衰减器(AT-230)o北美电话： 800.366.2266 o欧洲联系电话： +353.21.244.6400o印度联系电话： +91.80.4155721o中国联系电话： +86.21.M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
应用说明S2079驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器牧师V5内置驱动器一些M / A - COM的新型开关和衰减器功能简化了使用控制CMOS （ 0 V ， 2.7 V ）或TTL（0伏， 5伏）逻辑，而无需为阴性对照电压。附录本应用笔记列出了一些流行M / A - COM交换机。在SW- 277 ， SW- 349 ， SW- 394 ，和SW- 399包括电平移位部件用正CMOS或TTL控制电压的兼容性，但这些交换机仍然需要互补控制逻辑。在SW- 335 ， SW65-0xxx系列及相关交换机包含一个CMOS驱动器电路在同一包，以及在GaAs开关元件，为真正的单线控制。从M / A-未来许多交换机COM可能会包含一些驱动电路和开关一起在小的，低成本的塑料封装的元件。对AT- 226 ， AT- 264和AT -242数字衰减器具有内部电平转换以提供控制用单CMOS输入线每个衰减位。该AT65-0xxx系列微型数字衰减器模块合并的CMOS驱动器电路，以实现此目的。在设计的另一个考虑与交换机和衰减器是消除串扰，可出现从RF泄漏到控制线。大多数主板设计师打理这通过增加电容地面上的控制线，调车的任何RF能量地面上。在SW- 109和SWD- 119输出缓冲器可驱动负载电容高达25 pF的。其它电路，驱动程序您可以使用TTL和CMOS逻辑IC的驱动砷化镓FET开关和衰减器。一个理想的驱动程序将运行从单电源电压，消耗电流很小，和介绍很少切换延迟。车手的技术，可以很好的浮动通道在FET的开关MMIC在地面上的潜力通过增加上拉电阻和直流阻断和旁路电容。如图图3中，电路需要的电压为0伏，适用于无论是控制端口，并转移到-5 VDC在连接FET门打开它们赶走。 +5 VDC电压偏移为0伏在FET的门打开它们。射频共SWD- 109 & SWD- 119驱动器M / A - COM的SWD- 109四通道SWD- 119提供互补控制所需的电压用于驱动砷化镓FET开关和数字衰减器使用每比特的单个控制输入。无论是SWD- 109和SWD -119集成的缓冲期，以使驱动程序将与任何标准的TTL或CMOS开关逻辑电平输入。该器件采用标准的CMOS模拟制造技术的低功耗消费。该设备包括输入缓冲器，逆变器产生互补的逻辑值，电压翻译器，和输出缓冲器，各设计成允许设计人员可以灵活地优化开关和衰减器性能。设计一个电路板与射频开关和衰减器，考虑源极 - 漏极电阻的该调制在FET的由RF输入可能导致输出压缩和互调失真。虽然砷化镓场效应管开关和衰减器将与标称0操作好V和-5 V控制，谨慎选择，控制的8 V & V - 在该范围内的电压FETOFF& - 5 V和0 V &VFETON& 2 V可以提高最大RF电平（ P1dB的） 。用适当选择的正和负电源电压时， SWD- 109和SWD- 119既能提供输出的控制电压在上述范围内。RF1Q2C1R1+5 VDCQ3C4Q1Q4RF2C5R2+5VC2控制＆ QUOT ; A＆ QUOT ;控制＆ QUOT ; B＆ QUOT ;R3+5VC3TTL控制VCC+5 VDCGNDCD54HCT04C6控制的控制BTTL低TTL高TTL高TTL低射频共射频1ON关闭射频共射频2关闭ON图3 ：砷化镓SPDT开关， CMOS驱动器2访问额外的数据表和产品信息。o北美电话： 800.366.2266 o欧洲联系电话： +353.21.244.6400o印度联系电话： +91.80.4155721o中国联系电话： +86.21.M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
应用说明S2079驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器牧师V5M / A - COM的双重控制，负偏压开关和衰减器具有内在的开关速度可低至5 ?纳秒。电平转换的浮动缺点FET的是，旁路和阻断的时间常数电容器通过内部FET的栅极充电电阻会引入一些延时切换。如图所示在附录中，交换机结合了电平转换片上通常有开关速度范围为几十纳秒到微秒。科幻gure 3显示驱动的双控的GaAs FET开关由德州仪器CD54HCT04高速CMOS逻辑六反相器，一个CERDIP封装器件可与CMOS逻辑输入电平操作（0V ，2.7V）和驱动TTL负载。驾驶双控开关阶段需要使用CD54HCT04的两个闸门， 1以产生缓冲的输出，一个用于产生其补充。在CD54HCT04每个门引入开关20 ns的传播延迟。的直流电流整个六角装置的消耗是在小于1mA+5 VDC 。当与CD54HCT04作为驱动设计，选择隔直流电容C1 ，C4和C5中，对给在最低的期望的最小插入损耗工作频率。选择旁路电容C2和C3 ，得到在最高期望的最大隔离工作频率。旁路电容器C6 ，其具有相同的值， C2和C3 ，分流器的任何RF信号泄漏的DC偏置线在六反相接地。使用低的串联电阻，高Q电容器，如美国技术陶瓷ATC100A系列，为尽可能低的插入损耗。电阻器R1和R3的DC偏置连接到开关应该在10至50范围内的值千欧，保持射频串扰尽可能低。地方的电阻器，电容器和接地过孔尽可能靠近开关尽可能的身体，以减少电感最佳的RF性能。其他流行的逻辑IC的工作以及驱动程序，这取决于根据您的要求的开关速度，直流电源耗，和射频线性。其它进制转换器与该工作良好，包括了CD54HCT04SOIC或DIP塑料包装CD74HC04和CD74HCT04 ，慢CD54HC04 ，而仙童DM74LS04.用5 VDC电源电压， DM74LS04提供0.25 V（逻辑低）和3.4 V的输出电压的逻辑（逻辑高电平） 。替代引脚兼容的DM74SL04为CD54HCT04 ，你将不得不增加额外的上拉振电路连接在所述驱动器和开关之间提高逻辑高电平至5 VDC 。这将导致慢的开关速度和较高的电流消耗相比CD54HCT04 。德州仪器（TI） SN54HC139 2 ?4行解码器也工作得很好，一样的CD4041UB四核/真正的补缓冲区。该CD4041UB提供四个对互补输出，并可以提供一个范围的逻辑输出电压取决于供给您选择的电压。随着CD4041UB供应8 VDC为逻辑高电平，很多的GaAs FET偏置交换机将具有更高的P1dB功率电平进行操作，也许通过5或6 dB的。对于驾驶员切换速度小于10纳秒的费用较高的电流消耗，可以考虑使用在ECL驱动程序，如摩托罗拉MC10H350 ECL到TTL转换，如图图4中。该电路能直接驱动的开关，而无需电平转换电容器和电阻器。图4 ： MC10H350的驾驶双重控制开关结论本应用笔记解释了如何控制M / A - COM公司的GaAs FET开关和数字衰减器利用M / A- COM提供的驱动程序，或者使用市售数字逻辑集成电路。附录总结了M / A - COM最流行的开关和他们通过驱动要求进行分类。精心选开关或数字衰减器和驱动器可以提供最佳的射频线性，开关速度快，低功耗消费和中小板占位面积。3访问额外的数据表和产品信息。o北美电话： 800.366.2266 o欧洲联系电话： +353.21.244.6400o印度联系电话： +91.80.4155721o中国联系电话： +86.21.M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
应用说明S2079驱动程序的GaAs FET开关和数字衰减器牧师V5其他注意事项：应用笔记M537 ，基于砷化镓MMIC控制带整体驱动器组件定义性能参数对开关和衰减器。1.请参考应用笔记M517 ，MASW6010砷化镓单刀双掷开关性能和驱动电路技术有关设计的更多信息与SWD- 109和SWD- 119的驱动程序。有关管脚分配和电源电压的SWD- 109和SWD- 119单/四通道驱动器，请参阅社署-一百十九分之一百零九数据表，可在M / A-COM网站 。请参考应用笔记M521 ，正电压控制砷化镓MMIC控制装置欲了解更多信息在上述地电位浮动衰减。请参考应用笔记M539 ，驱动程序的GaAs MMIC开关和数字衰减器了解更多在压缩和交调信息失真和SW - 109的操作和SWD- 119的驱动程序。请参见制造商的数据表和应用笔记上的数字逻辑集成电路的附加信息。附录流行的M / A - COM的GaAs FET开关在下面的表中，开关速度是从时间的控制电压的上升或下降到50％的点的90％ （开）或10％ （关）的发生切换RF电平。2.双阳性对照，需要正供应（包括片内上拉电路元件）产品型号SW-277SW-349SW-394SW-399TYPESPDTSPST终止SPDTSPST包SOIC-8SOIC-8SOIC-8SOT-26开关速度35纳秒2μs36μs110μs3.4.单控，积分司机，需要正负电源产品型号SW05-0311SW10-0312SW10-0313SW65-0014SW65-01145.TYPE在SPST ， TTL / CMOSSPDT ， TTL / CMOS的SPDT ， TTL / CMOS的在SPST ， TTL / CMOS在SPST ， TTL / CMOS在SP3T ， TTL / CMOS在SP2T ， TTL / CMOS在SP4T ， TTL / CMOSSP4T ，吸收，在TTL / CMOSSPDT ， TTL / CMOS的SPST ， TTL.CMOS在SPDT ， TTL / CMOS的在SPD ， TTL / CMOSSPDT ， TTL / CMOS的SPDT ， TTL在SPDT ， TTL在包CR-9CR-9CR-9SOIC-24SOIC-24SOIC-24SOIC-16SOIC-24QSOP-24CR-9CR-9CR-9CR-9SOIC-8TO-5-4FP-13开关速度150纳秒150纳秒150纳秒50纳秒50纳秒50纳秒50ns50纳秒50纳秒35纳秒12纳秒7纳秒18纳秒200纳秒150纳秒150纳秒6，请联系您的M / A- COM销售代表的最新信息开关和衰减器。双控负偏压产品型号SW-212SW-214SW-226SW-227SW-239SW-259SW-276SW-279SW-289SW- 337 ， 338SW-391SW-392SW-395SW-425111TYPESPSTSPST终止SPDT终止SPDTSPDTSPST终止SPDTSPDTSP4TSPDT终止SPDTSPDTSPDTSP4TSPDTSPDTSPDT包FP-13FP-13CR-2CR-2SOIC-8SOIC-8CR-2SOIC-8SOIC-14SOIC-8SOT-26SOT-26SOT-26SOIC-24SOT-26SOT-363MSOP-10开关速度6纳秒6纳秒6纳秒6纳秒4纳秒8纳秒35纳秒35纳秒6纳秒10纳秒42纳秒20纳秒8纳秒16纳秒= 20 ns的= 8纳秒? 34纳秒SW65-0214SW65-0313SW65-0314SW65-0440SW-110SW-311SW-312SW-313SW-335SW-224SW- 225单控，积分司机，正电源产品型号SW-205SW-206SW-215SW-216SW-217SW-233SW-236TYPESPDT ， TTL在SPDT ， CMOS在SPST ，在TTLSPDT ， CMOS在SPDT ， TTL在SPDT ， TTL在SPDT ， CMOS在包DI-1DI-1DI-1DI-1DI-1FP-16FP-16开关速度20纳秒40纳秒20纳秒40纳秒20纳秒20纳秒40纳秒SW-4191SW-437SW-439*1.不含并联FET的，因此可以用积极的操作无地面上拉式组件，如果控制电压提供了DC阻断所有的RF线路电容。4访问额外的数据表和产品信息。o北美电话： 800.366.2266 o欧洲联系电话： +353.21.244.6400o印度联系电话： +91.80.4155721o中国联系电话： +86.21.M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
地址:福田区华强北上步工业区505栋613
电话:086-6
地址:深圳市福田区赛格科技园4栋西12F
电话:086-1
地址:广东省深圳市福田区新亚洲一期4C037
电话:086-7
地址:福田区振兴西路华匀大厦509室
SW-349TR&&
地址:门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场东楼（ 负一层）K11房间//科技京城电子市场东楼T05
//办公室：科技京城西楼10楼
021- // 021- // 021-
地址:福田区华强北路上步工业区101栋508
电话:2 67515
地址:深圳市华强北都会电子城2B038A
华强广场Q2A009
电话:086-755-
地址:福田区上步工业区102栋西座黄金大厦6楼612室,投诉电话8（可开17%增票）旭弈鑫科技务实质量，专注渠道，以诚信求发展。
电话:086-8郝经理8董小姐
新到货优势渠道商货到付款&
客户群中科院，哈工大，华为&
地址:广东省深圳市福田上步工业区101栋5楼521-522室
SW-349-PIN&&
地址:杭州市拱墅区航行路360空间大厦504室 门市：登云路时代电子市场1B118号
电话:086-571-
地址:福田区振华路47号家乐大厦4楼B3
地址:公司地址：深圳市福田区中航路鼎诚国际大厦1505.门市部佳和2C067
地址:深圳福田区燕南路47号家乐大厦4楼B3
地址:深圳市华强电子世界三号楼 2A083
电话:０８６－０７５５－８３０３０６３６
SW-349TR&&
地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦2楼B238室
SW-349TR&&
地址:深圳市福田区振华路海外装饰大厦6楼/深圳市龙岗区坂田街道大发浦东村6巷8号8楼/香港九龍廣東道1143號協和工業大厦6樓
（销售热线）
地址:深圳市福田区华强北上步工业区101栋西座616室
地址:深圳市福田区华强北上步工业区101栋第五层510室
地址:福田区振兴西路华康大厦2栋
电话:086-5/
地址:深圳市福田区振兴路新欣大厦B座528室（毛家饭店对面）
地址:深圳市上步工业区501栋408室
XILINX《赛灵思》 ALTERA《阿特拉》代理旗下唯一指定经销商
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区201栋4楼A88
电话:086-1/
地址:华强广场Q2A226柜
深圳市福田区佳和大厦B座1802室
电话:086-9//夜间询价
地址:深圳福田区华强北路上步工业区201栋4楼A88
电话:086-1/
地址:深圳市福田区华强北路新亚洲电子城一期5楼577房
[长期高价回收原装IC,工厂积压库存料]
电话:086-1
SW-349TR&&
地址:深圳福田区华强北新亚洲二期国利大厦1220房
电话:086-8
地址:上海市闸北区海宁路1399号 /北京海淀区知春路中海苑/深圳福田区新亚洲
电话:021--
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦A座5楼5020
电话:086-1 / 0
地址:深圳市福田区振华路家乐大厦4楼B3座
地址:深圳市福田区深纺大厦C座6B17室/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1618室
（询价技巧：选中型号前面的多选框，可以同时向多家询价。） &当前位置： > 通勤力夺冠是成绩亦有鞭策
通勤力夺冠是成绩亦有鞭策时间：日05:44来源：广州日报
原标题：通勤力夺冠是成绩亦有鞭策
　　来论　　媒体调查2015年全国大城市上班通勤距离，北京18.9公里居首，杭州8.7公里垫底；而通勤综合能力最强的则是广州，虽然平均路途不短，但通勤平均速度最快。（据央视财经消息）　　“不是在上班，就是在上班路上”，这是大城市上班族每天无奈而又尴尬的写照。拥堵、拥挤、耗时长……不少通勤族感慨“青春都耗在了上下班路上”。糟糕的通勤体验不仅令人疲惫，也影响工作效率，毕竟人还没到单位，精力已经消耗了大半，谈何全身心工作？　　通勤体验直接关系着百姓的幸福指数。要么提高通勤速度，要么缩短通勤路程，通勤顺畅了，才能让民众在城市发展中更有“获得感”。而从城市管理者的角度看，提高通勤能力，也是对公共管理能力的检验。　　此次调查显示，广州的通勤能力居于首位。这种领先，令人自豪，也令人珍惜。通勤力夺冠，来之不易。首先，立体化交通功不可没。高架桥层层叠叠，内环环绕中心，道路资源多，路面车道足……这些硬件为车辆通行奠定良好基础。这也让广州成为目前大城市中还没有限行的城市之一。　　其次，智能化的管理提速交通。以潮汐车道为代表的灵活管理方式调节了车流，便捷的事故快速点、密布的违章拍照、APP实时提供路面信息等辅助手段也让交通加速度，另外，公交系统发达，绿色出行成风。目前，广州规划建设了BRT、现代有轨电车、慢行交通、绿道等特色交通。公交系统较为完善，线路多、车次多、高峰时段增加车次、智能化显示车辆位置等举措提高了乘车体验，不少通勤族自然愿意乘车上下班。此外，绿道系统的完善、公共自行车接驳、借取的便捷，越来越多人选择绿色出行，减轻了公交压力。　　最后，卫星城错落有致，分散了主城区人口。当城市资源高度集中于市中心时，拥堵自然不可避免。黄埔、番禺、南沙等地区发展迅速，集聚各类特色企业，也将人口、商贸等分流开去。以前，常常可以见家住番禺的市民们赶到市中心消费购物，现在，番禺也有大型商场，餐饮服饰等消费不逊于主城区，消费分流后主城区的交通压力也减缓了。　　话说回来，随着汽车保有量增加，道路资源日趋紧张，拥堵程度也难免加剧。在未来，继续保持领先的通勤能力，一方面要继续鼓励公交出行，或可探索特定时段特定折扣的方式将通勤族分流至公共交通；另一方面，要继续加大投入，夯实交通基础设施建设。“要致富，先修路”，道路四通八达，交通提速方能立竿见影。　　（陈小雁）
本文相关推荐
16-01-0416-01-0416-01-0416-01-0416-01-0416-01-04
Copyright &#169;
All Right Reserved. 今日热点新闻网所有文章来源网络，如有侵权请联系我们删除！