哪位大婶看下，这个用OD怎么od破解软件视频教程

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2015-09-22 10:29 标签： od破解软件
求大神看看我的这些个材料哪个做流亡最好_暗黑破坏神吧_百度贴吧
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先谢谢各位大神啦
这是外景图
很遗憾，符文还是攒着吧。都不可用
流亡，无形神圣小盾45r，最低是旋风无形39r。。。
不无形不流网
一堆一孔怎么办
无形无孔4R过40专属底材，bug出四孔。结论：看脸
无形旋风盾
流亡不是无形打BUG打孔么
无形公式打孔是前提，40r+/60ed+可以做。
无形，4r，bug打孔出4s
无形无孔神圣小盾45全抗或旋风盾65ed。满变防御值。用cube打孔出四孔。才是流亡最佳底材。值得反复洗了做。
无bug，不流亡
内&&容:使用签名档&&
保存至快速回贴OD软件破解 想请教各位大神点问题 看补充_百度知道
OD软件破解 想请教各位大神点问题 看补充
想破解一个外挂
带壳的那种
用od脱壳之后
那软件注册不要钱
只是升会员要钱
但怎么也破解不了
或者帮我的
提问者采纳
应该有网络验证，我没办法只能提供这些
提问者评价
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出门在外也不愁哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect）？
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哪位大神能帮忙解释一下OSE（OD space effect）？
本帖最后由 liuna1987 于
15:33 编辑
在TSMC的工艺中遇到的，但是不太清楚什么是OSE，能否帮忙解释一下？谢了。
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design rule里面有明确说明，可以去查下。简单说下：
65nm以下工艺都出现一些各种各样的效应，如WPE，OSE,PSE等
我一般叫OSE，其实就是STI部分对MOS active区域的应力造成的影响，对于analog
layout影响较大，因为MOS match 不好，举个例子：假如有match是这样的，ABBAABBA（共享
同一块OD），因为OSE的影响，最边上的MOS受到的应力跟中间是有差别的，MOS的SA，SB参数都有变化，
这样match就很不好。所以OD需要单独划分开A B B A，这样你会觉得工艺低了反而面积变大了，是不是？是的，就是这样，实在面积接受不了就这样AA BB BB AA或者AAAA BBBB BBBB AAAA，match效果依次递减
好了，感觉自己好
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对的，是OSE，我说错了 。我去design rule里面找找看。谢谢你的回答~
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又长知识了~
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design rule里面有明确说明，可以去查下。简单说下：
65nm以下工艺都出现一些各种各样的效应，如WPE，OSE, ...
beckdavid 发表于
如果共享一个OD然后在两边加几个dummy mos是不是也可以？
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楼上说的好像是STI效应，OD指的是OXIDE，OSE指的是ANALOG device的S/D端到GATE的距离不一致会影响MOS的电流。所以Analog里面的MOS不能像Digital一样改变MOS之结构。
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怎么感觉说的都是STI应力效应啊
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本帖最后由 fu_wang 于
15:29 编辑
有作数字的大神吗？ 为什么加上end cap cell 可以对OSE 和PSE 有帮助？ 一直没有搞懂这个问题， 之前做数字项目。只是知道在row的两端要加上end cap cell。 但是之前看资料时看到end cap对这两个effect 有帮助，具体也木有解释。。
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小白问问各位大神 用OD脱壳
已经找到程序的入口点
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小白问问各位大神 用OD&&已经找到程序的入口点如何保存啊&&
恒大教程 非常详细。
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用od插件里面的dump脱壳保存就好了
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在入口点的第一行 点击右键&&点击 用 OD 脱壳调试进程 之后点击脱壳即可
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