您现在的位置：
TFT-LCD原理与设计
&&&&马群刚的这本《TFT-LCD原理与设计》共分十一章。第一章简要介绍了TFT-LCD的发展和基本概念，帮助读者初步建立起TFT-LCD的概念。第二章以色彩学、TFT器件、液晶显示为重点详细介绍彩色TFT-LCD的三大基石，为后续TFT-LCD原理与技术的展开奠定基础。第三章介绍TFT-LCD的材料技术，说明材料设计对产品品质、合格率、成本等的影响。第四章通过介绍工艺对TFT-LCD产品品质、合格率等的影响，提供TFT-LCD设计面向工艺时所要注意的一些整合内容。第五章到第九章完整介绍TFT-LCD产品在显示屏、驱动、结构三个方面的原理与设计。显示屏的设计又按显示模式的不同，先后介绍TN、IPS和VA三种模式显示屏的原理与设计。针对市场化的产品设计，第十章列举了高品质、低成本的设计理念与方法，介绍高性价比TFT-LCD产品的设计。最后在第十一章围绕中小尺寸，特别是便携式TFT-LCD的发展，介绍低温多晶硅LTPS工艺，以及LTPS技术重点应用的半透过型TFT-LCD的原理与设计。
&&&&马群刚的这本《TFT-LCD原理与设计》基于TFT-LCD工厂生产的实践，科学原理与工程应用相结合。介绍了TFT-LCD的基本概念，组成材料，工艺和设计流程等；列举了高品质、低成本的设计理念和设计方法；最后在以低温多晶硅LTPS工艺为例，介绍中小尺寸，特别是便携式TFT-LCD产品的发展。对一线技术人员及电子专业的学生具有重要的参考价值。 &&&&《TFT-LCD原理与设计》对从事液晶显示研究的学者及工程技术人员具有重要的参考价值。
第一章 TFT-LCD概述&&1.1 TFT-LCD的发展&&&&1.1.1 TFT-LCD发展简史&&&&1.1.2 TFT-LCD的竞争与趋势&&1.2 TFT-LCD的基本概念&&&&1.2.1 产品相关的概念&&&&1.2.2 光学相关的概念&&1.3 TFT-LCD的结构与功能第二章 彩色TFT-LCD基础&&2.1 色彩学基础&&&&2.1.1 光与色&&&&2.1.2 光的亮度&&&&2.1.3 色的坐标&&&&2.1.4 色的温度&&&&2.1.5 TFT-LCD的彩色显示&&2.2 TFT器件基础&&&&2.2.1 TFT器件原理&&&&2.2.2 TFT开关的特性要求&&&&2.2.3 TFT开关特性的工艺设计&&&&2.2.4 TFT开关特性的结构设计&&2.3 液晶显示基础&&&&2.3.1 液晶的基本结构与特性&&&&2.3.2 液晶光学&&&&2.3.3 液晶电学&&&&2.3.4 液晶力学&&&&2.3.5 液晶的显示模式第三章 TFT-LCD材料技术&&3.1 玻璃基板&&&&3.1.1　玻璃基板的制造技术与发展&&&&3.1.2　玻璃基板的使用要求&&3.2 ITO薄膜&&3.3 配向膜&&&&3.3.1 配向膜的材料技术&&&&3.3.2 配向膜的特性要求&&3.4 液晶材料&&&&3.4.1 液晶的物理特性与分子结构设计&&&&3.4.2 液晶材料的特性要求&&3.5 Seal材&&3.6 微粒子&&&&3.6.1 球状Spacer&&&&3.6.2 纤维状Spacer和金球Spacer&&3.7 CF基板&&&&3.7.1 CF的材料技术&&&&3.7.2 CF的特性要求&&&&3.7.3 CF的制造技术&&3.8 偏光薄膜&&&&3.8.1 偏光板&&&&3.8.2 相位差板&&&&3.8.3 宽视角补偿膜&&3.9 电路元件&&3.10 背光源&&&&3.10.1 光源&&&&3.10.2 光学膜片&&&&3.10.3 导光板第四章 TFT-LCD工艺技术&&4.1 阵列工艺技术&&&&4.1.1 阵列工艺流程&&&&4.1.2 洗净工艺&&&&4.1.3 Sputter成膜工艺&&&&4.1.4 CVD成膜工艺&&&&4.1.5 PR工艺&&&&4.1.6 曝光工艺&&&&4.1.7 湿刻工艺&&&&4.1.8 干刻工艺&&&&4.1.9 阵列检查工程&&4.2 成盒工艺技术&&&&4.2.1 配向膜成膜与配向&&&&4.2.2 Spacer散布与固着&&&&4.2.3 封框胶与银浆涂布&&&&4.2.4 液晶滴下&&&&4.2.5 真空贴合&&&&4.2.6 封框胶硬化&&&&4.2.7 玻璃切断&&&&4.2.8 偏光板贴付&&&&4.2.9 成盒工程检查&&4.3 模块工艺技术&&&&4.3.1 OLB工程&&&&4.3.2 PCB压接&&&&4.3.3 模块组装&&&&4.3.4 老化实验&&&&4.3.5 模块工程检查第五章 TN显示原理与设计&&5.1 TN显示原理&&&&5.1.1 TN显示的光透过率&&&&5.1.2 TN显示的光学原理&&&&5.1.3 TN显示的电学原理&&5.2 TN像素工作原理&&&&5.2.1 TN像素基本结构&&&&5.2.2 像素中的电容效应&&&&5.2.3 配线延迟效应&&&&5.2.4 灰阶电压写入与保持&&&&5.2.5 TN显示的综合效应&&5.3 15XGA的显示屏设计&&&&5.3.1 预设计&&&&5.3.2 阵列侧像素设计&&&&5.3.3 彩膜侧像素设计&&&&5.3.4 显示屏周边设计&&&&5.3.5 显示屏用Mark设计&&5.4 15XGA的基板相关设计&&&&5.4.1 基板用TEG与Mark设计&&&&5.4.2 UV Mask与UVSheet设计&&&&5.4.3 配向膜印刷版设计第六章 IPS显示原理与设计&&6.1 IPS显示原理&&&&6.1.1 IPS显示的光透过率&&&&6.1.2 IPS显示的光学原理&&&&6.1.3 IPS显示的电学原理&&6.2 IPS技术的发展&&&&6.2.1 从单畴结构到多畴结构&&&&6.2.2 有机膜IPS技术&&6.3 32HD显示屏设计&&&&6.3.1 S-IPS像素概要&&&&6.3.2 SA-IPS像素概要&&&&6.3.3 32HD像素设计&&&&6.3.4 32HD显示屏设计&&6.4 FFS显示原理与设计&&&&6.4.1 FFS的电光学原理&&&&6.4.2 FFS技术的发展&&&&6.4.3 FFS的像素设计&&6.5 IPS残像机理与解决方案&&&&6.5.1 IPS残像机理&&&&6.5.2 离子型不纯物分析&&&&6.5.3 残留DC分析&&&&6.5.4 线残像的机理与对策第七章 VA显示原理与设计&&7.1 VA显示原理&&&&7.1.1 VA显示的光透过率&&&&7.1.2 VA显示的光学原理&&&&7.1.2 VA显示的电学原理&&7.2 不同VA技术的发展&&&&7.2.1 MVA技术的发展&&&&7.2.2 PVA技术的发展&&&&7.2.3 CPA技术的发展&&&&7.2.4 新型VA显示技术&&7.3 VA的色偏机理与对策&&&&7.3.1 VA的色偏机理与评价&&&&7.3.2 色偏的改善技术&&7.4 46FHD显示屏设计&&&&7.4.1 46FHD像素的预设计&&&&7.4.2 46FHD像素的详细设计&&&&7.4.3 46FHD显示屏的整体设计&&&&7.4.4 46FHD显示屏拼接曝光设计第八章 TFT-LCD驱动技术与设计&&8.1 TFT-LCD驱动原理&&&&8.1.1 驱动原理简介&&&&8.1.2 驱动方式&&&&8.1.3 阶调增强技术&&8.2 TFT-LCD电路技术&&&&8.2.1 电源电路&&&&8.2.2 时序控制电路&&&&8.2.3 数据驱动电路&&&&8.2.4 扫描驱动电路&&&&8.2.5 接口电路&&8.3 TFT-LCD电路设计&&&&8.3.1 电路设计概要&&&&8.3.2 电路原理图设计&&&&8.3.3 PCB版图设计&&&&8.3.4 COF设计&&&&8.3.5 伽玛设计与调节第九章 TFT-LCD结构技术与设计&&9.1 结构技术与设计概要&&&&9.1.1 结构技术概要&&&&9.1.2 结构设计概要&&9.2 OPEN CELL结构设计&&9.3 背光源结构设计&&&&9.3.1 后板金设计&&&&9.3.2 导光板设计&&&&9.3.3 光学膜片设计&&&&9.3.4 灯管设计&&&&9.3.5 灯管反射罩和电源线设计&&&&9.3.6 LED光源的结构设计&&9.4 模块结构综合设计&&&&9.4.1 组装设计&&&&9.4.2 强度设计&&&&9.4.3 散热与防尘设计&&&&9.4.4 电学设计&&&&9.4.5 光学设计&&&&9.4.6 安全性设计第十章 高品质和低成本设计&&10.1 面向光学规格的高品质设计&&&&10.1.1 高亮度设计&&&&10.1.2 高对比度设计&&&&10.1.3 高响应速度设计&&10.2 面向特殊画质的高品质设计&&&&10.2.1 闪烁机理与设计对策&&&&10.2.2 串扰机理与设计对策&&&&10.2.3 显示不均机理与设计对策&&10.3 合格率设计&&&&10.3.1 工程检查及相关设计&&&&10.3.2 ESD改善设计&&&&10.3.3 点缺陷修复设计&&&&10.3.4 线缺陷修复设计&&10.4 低成本设计&&&&10.4.1 4MASK设计&&&&10.4.2 省UV MASK设计&&&&10.4.3 低材料成本设计第十一章 LTPS TFT-LCD原理与设计&&11.1 LTPS TFT原理与设计&&&&11.1.1 LTPS TFT器件基础&&&&11.1.2 LTPS TFT特性设计&&&&11.1.2 LTPS TFT工艺技术&&11.2 LTPS TFT-LCD周边电路集成设计&&&&11.2.1 模拟输入电路集成设计&&&&11.2.2 DAC内置电路集成设计&&11.3 半透过型LTPS TFT-LCD原理与设计&&&&11.3.1 半透过型LTPS TFT-LCD&&&&11.3.2 半透过型TFT-LCD的反射光学设计&&&&11.3.3 半透过型TFT-LCD的偏光光学设计论文发表、论文指导
周一至周五
9：00&22：00
TFT-LCD残像原理与分析加强篇二
&&&&&&本期共收录文章18篇
　　摘 要：残像是TFT-LCD的一种显示特性，主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面，在把画面切换到下一个画面时，原先的画面会残留在下一个画面中。本文的加强篇二从材料面的彩膜、液晶、配向膜及工艺面的配向膜工程、ODF工程导致的残像具体分析了其原因和改善方法。中国论文网 /8/view-3159583.htm　　关键词： 液晶显示器；残像;配向膜　　中图分类号：TN141.9，TN873+.93 　 文献标识码：A　　The Theory and Analysis of TFT-LCD Image Sticking-Upgrade II　　JIAO Feng, WANG Hai-hong　　(R&D Center, Nanjing CEC PANDA LCD Technology Co., Ltd., Nanjing Jiangsu 210033, China)　　Abstract: Image Sticking is a display behavior of TFT-LCD. Mainly expressed when a static image remains displayed on the same screen for a long time, the original image will be left when the screen switches to the next image. The upgrade part II of the paper specially analyze mechanism and improvement solution of image sticking from material include color filter, liquid crystal, alignment film and PI process and ODF process.　　Keywords: TFT-LCD; alignment film　　引 言　　近年来液晶显示器以其低工作电压、低功耗、低辐射、低空间占有率以及轻薄美观等优势，不断普及已成为市场的主流，随着人们的认识水平和对显示要求的不断提高，对于显示性能也提出了越来越高的要求，如高亮度、高对比度、高响应速度等，而且对于整个显示器的画质，如姆拉、残像的要求也越来越苛刻。而残像问题一直影响着TFT-LCD画面品质，尤其是长期画面品质的重要问题之一[1-3]。本文的加强篇二将从材料面的彩膜、液晶、配向膜及工艺面的配向膜工程、ODF工程导致的残像具体分析其原因和改善方法。　　1　材料面要因和对策分析　　1.1　彩膜材料-附加电场引起的残像分析和对策　　如图1所示，在IPS液晶模式像素单元中，由于作为Bus Line的Vgoff电压一般为负的十几伏，而像素电极和共通电极只有几伏，在像素中将形成图1中左边的等效电路图。黑色矩阵BM在靠近液晶层一侧受到扫描线上的-10V电压将感应出正电荷，而相应的黑色矩阵内部就会产生与正电荷等量的负电荷，这些负电荷将部分注入到黑色矩阵相邻的色层中，使色层也带负电荷[4]。　　　　如图2所示，由于色层带有负电荷，使得液晶中存在的正电荷离子向色层这一侧配向膜上聚集累积。随着时间的推移，当这种正电荷离子的浓度形成的反向直流电场足以改变液晶显示装置的透过率时，就会形成所谓的残像。　　这里发生残像的原因是Bus Line的高电压感应BM造成的，只要能将Bus Line的高电压屏蔽掉就可以消除这一现象。如图3所示，可以通过使用Ω·cm的低电阻液晶形成液晶电阻，屏蔽纵向电场，从而抑制残像的发生。　　综上所述，通过使用低电阻液晶屏蔽纵向电场的方式可以抑制Bus Line感应电场造成的DC成分，抑制残像的发生。　　1.2　液晶材料-残像分析和对策　　在液晶材料方面引起残像的原因主要是无机离子或有机离子。含有高杂质的液晶，都会导致低电压保持率（Low Voltage Holding Ratio）、高离子密度（High Ion Density）、低电阻率（Low Resistivity）。　　在液晶组成物中一般都存在或多或少的离子性物质，当液晶的介电常数Δε较大时，就会很容易分解出来，自由离子的数量变多，容易形成Simi或残像。液晶厂家一般要采取以下方法来改善：提高液晶的电阻率；开发高信赖性的液晶单体；不带入少量离子性不纯物的高提纯能力；先进液晶单体混合技术等。液晶面板厂家一般要采取以下方法来改善：进行关键工艺管理，创造无Ion环境氛围；进行与其它材料的匹配优化，如封框胶和配向膜材料的亲和性实验等。　　　　1.3　配向膜材料-残像分析和对策　　在配向膜材料方面引起残像的原因主要也是无机离子或有机离子。残像与配向膜材料相关的因子主要有配向膜的电压保持率（Voltage Holding Ratio）[5]、残留DC（Residual DC）、配向指数（IPS模式时）。　　配向膜厂家一般要采取以下方法来改善：开发高电压保持率、低残留DC配向膜材料；不带入少量离子性不纯物的高提纯能力；配向膜分层技术；配向指数调整（IPS模式时）；使用刚性的alkyl（烷基）材料基；UV2A光配向材料调整（AC残像）等。下面将就一些方法进行介绍。
　　1.3.1　配向膜分层技术　　使用具有可分层的配向膜材料，可以使得物理和电学特性得到较好的平衡。如图4所示，印刷时使用的配向膜材料主要由可溶性聚酰亚胺、聚酰胺酸及溶剂（NMP、γ-BL、BC）组成，经过预处理工艺后配向膜材料发生分离，上层由可溶性聚酰亚胺构成，下层由聚酰胺酸合成的聚酰亚胺构成，这样构成的膜结构使得液晶一侧的上层具有稳定的预倾角、高的电压保持率、耐摩擦性等；下层具有良好的附着力、低的残留DC、良好的印刷性。　　综上所述，通过使用配向膜分层技术，较好地实现了工艺要求和残像等性能要求的完美结合。　　1.3.2　配向指数调整（IPS模式时）　　在IPS液晶模式时，使用配向指数来表征完成配向的液晶分子在加电压转动后能否回复原位的能力。如图5所示，是配向指数高的场合，液晶分子在进行加电压驱动后，能够回复到原来的位置，偏差少，V-T曲线上液晶转动前后状态是重合的，因此没有残像。如图6所示，是配向指数低的场合，液晶分子在进行加电压驱动后，不能够完全回复到原来的位置，发生偏差，V-T曲线上液晶转动前后状态是不重合的，因此有残像。　　因此改善配向指数对于残像很有意义，可以通过使用配向指数高的配向膜、强摩擦、配向膜膜厚增厚的方法来改善。如图7所示，是增加配向膜厚的方法示意图。　　综上所述，通过配向指数的引入及改善，可以减少IPS液晶模式的残像。　　1.3.3　UV2A光配向材料调整（AC残像）　　在替代摩擦法的光取向技术中，不仅会产生强烈的残留DC模式的残像，而且同时会产生由在AC（交流）电压施加下液晶倾斜角度的变化引起的残像（AC模式）[6-8]。光取向发生AC残像的机理，有以下两个主要原因：（1）取向膜的侧链部受到由液晶分子的弹性变形引起的应力而产生的变形记忆（侧链变形）；（2）液晶分子由于施加AC而吸附于主链的极化率高的官能团（液晶吸附）。　　关于由侧链变形引起的AC影像残留的产生机理，可以参考如下说明。首先如图8左图所示，在初始状态时，在液晶分子和光取向膜的侧链之间，由于相互作作用，液晶分子表现出预倾斜；接着如中图所示，在液晶层施加有电场时，当要减小由液晶分子的弯曲变形产生的弹性能时，侧链成为随着液晶分子而倾倒的状态；然后如右图所示，当液晶层施加的电场被解除时，回复力作用于侧链，但光取向膜的界面与液晶层的主体相比是结晶性的，侧链恢复到原来结构的缓和时间变大。因此可认为在该期间，液晶层的预倾斜发生了变化，结果发生残像。　　关于由液晶吸附引起的AC影像残留的产生机理，可以参考如下说明。在通过光取向膜照射紫外线等光，在光取向膜的分子-分子之间产生液晶分子大小程度的空隙，首先如图9左图所示，主链上存在吸附有液晶分子的位置、即存在吸附液晶现象；接着如中图所示，在液晶层施加有电场时，当要减小由于液晶分子的弯曲变形引起的弹性能时，光取向膜附近的液晶分子挤过侧链（将侧链拨开）而排列在吸附液晶上；然后如右图所示，当向液晶层施加的电场被解除时，回复力作用于侧链，但是光取向膜的界面与液晶层的主体相比，吸附力大，光取向膜附近的液晶分子恢复到原来的倾斜角的缓和时间变大。因此可认为在该期间，液晶层的预倾斜发生了变化，结果发生残像。　　改善这种残像可以通过配向材料调整，如使用一种新的配向膜结构，该配向膜含有以第一结构单元和第二结构单元作为必要结构单元的聚合物，第一结构单元通过光照射表现出对液晶分子进行取向控制的特性，第二结构单元无论是否进行光照射都表现出对液晶分子进行取向控制的特性。第一结构单元具有选自香豆素基、肉桂酸酯基、查尔酮基、偶氮苯基和菧基中的至少一个光官能团的侧链；第二结构单元具有类淄醇骨架的侧链。具体结构如图10所示，由实线包围的部分是由酸酐衍生的单元（酸酐单元），由虚线包围的部分是由具有光官能团侧链的二胺衍生的单元（光取向二胺单元），由单点划线包围的部分是由具有垂直取向性官能团侧链的二胺衍生的单元（垂直取向性二胺单元）。使用这种材料后的侧链刚性加大，不易引起侧链变形和液晶吸附的发生，大大减轻或消除了AC残像。　　2　工艺面要因和对策分析　　工程中引起残像的原因主要是离子型不纯物的引入，所以哪些设备容易引入离子型不纯物，哪些工程中会引入哪些离子型不纯物等问题就是我们需要研究的问题。工艺设备等技术人员通过大量实践掌握的经验或Knowhow对于解决这些具有关键性的作用，要虚心地多向工程人员请教。比如配向版、摩擦滚筒、盛液晶器皿等工具如果污染了就很容易引入离子型不纯物，保管方法和使用期限的不注意也容易引入离子型不纯物；阵列基板和彩膜基板在各自的洗净工程中由于时间、压力、温度等条件的不合适也容易引入离子型不纯物；工程如果时断时续也容易引入离子型不纯物等。下面列举两例说明。　　2.1　配向膜工程-残像分析与对策　　配向版是引入离子型不纯物的一个载体，配向版在纯水清洗后金属离子浓度明显下降，降低了发生残像的风险。　　配向膜烧成炉内的气体氛围也是导致残像发生的一个因素，在进行炉子的空烧排气后，离子浓度明显下降，降低了发生残像的风险。　　2.2　ODF工程-残像分析与对策　　当完成ODF工程，液晶会处于大气放置，这时很容易受到污染，增加无机Ion量。这些不纯物污染将导致电压保持率降低，发生Simi。因此在液晶滴下后，必须尽快进行后续贴合工程。如图13所示，随着停滞时间的延长，离子浓度上升，有发生残像的风险。　　3　结　论　　本文的加强篇二从材料面的彩膜、液晶、配向膜及工艺面的配向膜工程、ODF工程导致的残像具体分析了其原因和改善方法，在分析残像发生机理的过程中提出了对策方向，在一定程度上对此类问题的解决提供了帮助。　　参考文献　　[1] Huang P W, Liang B J. Study on Image Sticking Phenomenon in STN LCD [D]. Taiwan: DMC, .　　[2] 王 丹，梁 晓，唐 洪. TFT-LCD液晶材料对显示残像的影响[J]. 液晶与显示，）：412-414.　　[3] 王大巍，王 刚. 薄膜晶体管液晶显示器的制造、测试与技术发展[M]. 北京：机械出版社，-35.　　[4] 焦 峰. 一种横方向电场液晶显示装置[P]. 中国专利：ZL.1，.　　[5] 马群刚. TFT-LCD原理与设计[M]. 北京：电子工业出版社，-74.　　[6] 寺下慎一，三宅敢，宫地弘一等. 液晶显示装置和取向膜材料用聚合物[P]. 中国专利：ZL.5，.　　[7] 寺下慎一，三宅敢，宫地弘一等. 液晶显示装置和取向膜材料用聚合物[P]. 中国专利：ZL.5，.　　[8] 寺下慎一，三宅敢，宫地弘一等. 液晶显示装置和取向膜材料用聚合物[P]. 中国专利：ZL.4，.省略。
转载请注明来源。原文地址：
【xzbu】郑重声明：本网站资源、信息来源于网络，完全免费共享，仅供学习和研究使用，版权和著作权归原作者所有，如有不愿意被转载的情况，请通知我们删除已转载的信息。
xzbu发布此信息目的在于传播更多信息，与本网站立场无关。xzbu不保证该信息（包括但不限于文字、数据及图表）准确性、真实性、完整性等。加载中，请稍候...
加载中，请稍候...
商品编号：
京 东 价：
[定价：￥]
在线客服：
服务支持：
TFT-LCD原理与设计
加载中，请稍候...
商品介绍加载中...
扫一扫，精彩好书免费看
京东商城向您保证所售商品均为正品行货，京东自营商品开具机打发票或电子发票。
凭质保证书及京东商城发票，可享受全国联保服务（奢侈品、钟表除外；奢侈品、钟表由京东联系保修，享受法定三包售后服务），与您亲临商场选购的商品享受相同的质量保证。京东商城还为您提供具有竞争力的商品价格和，请您放心购买！
注：因厂家会在没有任何提前通知的情况下更改产品包装、产地或者一些附件，本司不能确保客户收到的货物与商城图片、产地、附件说明完全一致。只能确保为原厂正货！并且保证与当时市场上同样主流新品一致。若本商城没有及时更新，请大家谅解！
权利声明：京东上的所有商品信息、客户评价、商品咨询、网友讨论等内容，是京东重要的经营资源，未经许可，禁止非法转载使用。
注：本站商品信息均来自于合作方，其真实性、准确性和合法性由信息拥有者（合作方）负责。本站不提供任何保证，并不承担任何法律责任。
加载中，请稍候...
挺喜欢(广东)
洛带烟雨(广东)
蒙恬123(安徽)
bitr(安徽)
maosen_wang(四川)
fqantasy(江苏)
huangjinping19(安徽)
jd_7e0b48de5d57b(湖北)
jd185*****812(广东)
加载中，请稍候...
加载中，请稍候...
加载中，请稍候...
加载中，请稍候...
加载中，请稍候...
加载中，请稍候...
浏览了该商品的用户还浏览了
加载中，请稍候...
七日畅销榜
新书热卖榜TFT- LCD 残像原理与分析_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
暂无相关推荐文档
TFT- LCD 残像原理与分析
阅读已结束，如果下载本文需要使用
想免费下载本文？
把文档贴到Blog、BBS或个人站等：
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
你可能喜欢TFT-LCD原理与设计(马群刚)【电子书籍下载 epub txt pdf doc 】
当前位置 &
TFT-LCD原理与设计
作者：马群刚
出版：电子工业出版社
TFT-LCD原理与设计《TFT-LCD原理与设计》基于TFT-LCD工厂生产的实践，科学原理与工程应用相结合。介绍了TFT-LCD的基本概念，组成材料，工艺和设计流程等；列举了高品质、低成本的设计理念和设计方法；最后在以低温多晶硅LTPS工艺为例，介绍中小尺寸，特别是便携式TFT-LCD产品的发展。对一线技术人员及电子专业的学生具有重要的参考价值。第一章 TFT-LCD概述1.1 TFT-LCD的发展1.1.1 TFT-LCD发展简史1.1.2 TFT-LCD的竞争与趋势1.1 TFT-LCD的基本概念1.2.1 产品相关的概念1.2.2 光学相关的概念1.3 TFT-LCD的结构与功能第二章 彩色TFT-LCD基础2.1 色彩学基础2.1.1 光与色2.1.2 光的亮度2.1.3 色的坐标2.1.4 色的温度2.1.5 TFT-LCD的彩色显示2.2 TFT器件基础2.2.1 TFT器件原理2.2.2 TFT开关的特性要求2.2.3 TFT开关特性的工艺设计2.2.4 TFT开关特性的结构设计2.3 液晶显示基础2.3.1 液晶的基本结构与特性2.3.2 液晶光学2.3.3 液晶电学2.3.4 液晶力学2.3.5 液晶的显示模式第三章 TFT-LCD材料技术3.1 玻璃基板3.1.1　玻璃基板的制造技术与发展3.1.2　玻璃基板的使用要求3.2 ITO薄膜3.3 配向膜3.3.1 配向膜的材料技术3.3.2 配向膜的特性要求3.4 液晶材料3.4.1 液晶的物理特性与分子结构设计3.4.2 液晶材料的特性要求3.5 Seal材3.6 微粒子3.6.1 球状Spacer3.6.2 纤维状Spacer和金球Spacer3.7 CF基板3.7.1 CF的材料技术3.7.2 CF的特性要求3.7.3 CF的制造技术3.8 偏光薄膜3.8.1 偏光板3.8.2 相位差板3.8.3 宽视角补偿膜3.9 电路元件3.10 背光源　3.10.1 光源3.10.2 光学膜片3.10.3 导光板第四章 TFT-LCD工艺技术4.1 阵列工艺技术4.1.1 阵列工艺流程4.1.2 洗净工艺4.1.3 Sputter成膜工艺4.1.4 CVD成膜工艺4.1.5 PR工艺4.1.6 曝光工艺4.1.7 湿刻工艺4.1.8 干刻工艺4.1.9 阵列检查工程4.2 成盒工艺技术4.2.1 配向膜成膜与配向4.2.2 Spacer散布与固着4.2.3 封框胶与银浆涂布4.2.4 液晶滴下4.2.5 真空贴合4.2.6 封框胶硬化4.2.7 玻璃切断4.2.8 偏光板贴付4.2.9 成盒工程检查4.3 模块工艺技术4.3.1 OLB工程4.3.2 PCB压接4.3.3 模块组装4.3.4 老化实验4.3.5 模块工程检查第五章 TN显示原理与设计5.1 TN显示原理5.1.1 TN显示的光透过率5.1.2 TN显示的光学原理5.1.3 TN显示的电学原理5.2 TN像素工作原理5.2.1 TN像素基本结构5.2.2 像素中的电容效应5.2.3 配线延迟效应5.2.4 灰阶电压写入与保持5.2.5 TN显示的综合效应5.3 15XGA的显示屏设计5.3.1 预设计5.3.2 阵列侧像素设计5.3.3 彩膜侧像素设计5.3.4 显示屏周边设计5.3.5 显示屏用Mark设计5.4 15XGA的基板相关设计5.4.1 基板用TEG与Mark设计5.4.2 UV Mask与UVSheet设计5.4.3 配向膜印刷版设计第六章 IPS显示原理与设计6.1 IPS显示原理6.1.1 IPS显示的光透过率6.1.2 IPS显示的光学原理6.1.3 IPS显示的电学原理6.1 IPS技术的发展6.2.1 从单畴结构到多畴结构6.2.2 有机膜IPS技术6.3 32HD显示屏设计6.3.1 S-IPS像素概要6.3.2 SA-IPS像素概要6.3.3 32HD像素设计6.3.4 32HD显示屏设计6.4 FFS显示原理与设计6.4.1 FFS的电光学原理6.4.2 FFS技术的发展6.4.3 FFS的像素设计6.5 IPS残像机理与解决方案6.5.1 IPS残像机理6.5.2 离子型不纯物分析6.5.3 残留DC分析6.5.4 线残像的机理与对策第七章 VA显示原理与设计7.1 VA显示原理7.1.1 VA显示的光透过率7.1.2 VA显示的光学原理7.1.2 VA显示的电学原理7.2 不同VA技术的发展7.2.1 MVA技术的发展7.2.2 PVA技术的发展7.2.3 CPA技术的发展7.2.4 新型VA显示技术7.3 VA的色偏机理与对策7.3.1 VA的色偏机理与评价7.3.2 色偏的改善技术7.4 46FHD显示屏设计7.4.1 46FHD像素的预设计7.4.2 46FHD像素的详细设计7.4.3 46FHD显示屏的整体设计7.4.4 46FHD显示屏拼接曝光设计第八章 TFT-LCD驱动技术与设计8.1 TFT-LCD驱动原理8.1.1 驱动原理简介8.1.2 驱动方式8.1.3 阶调增强技术　8.2 TFT-LCD电路技术8.2.1 电源电路8.2.2 时序控制电路8.2.3 数据驱动电路8.2.4 扫描驱动电路8.2.5 接口电路8.3 TFT-LCD电路设计8.3.1 电路设计概要8.3.2 电路原理图设计8.3.3 PCB版图设计8.3.4 COF设计8.3.5 伽玛设计与调节第九章 TFT-LCD结构技术与设计9.1 结构技术与设计概要9.1.1 结构技术概要9.1.2 结构设计概要9.2 OPEN CELL结构设计9.3 背光源结构设计9.3.1 后板金设计9.3.2 导光板设计9.3.3 光学膜片设计9.3.4 灯管设计9.3.5 灯管反射罩和电源线设计9.3.6 LED光源的结构设计9.4 模块结构综合设计9.4.1 组装设计9.4.2 强度设计9.4.3 散热与防尘设计9.4.4 电学设计9.4.5 光学设计9.4.6 安全性设计第十章 高品质和低成本设计10.1 面向光学规格的高品质设计10.1.1 高亮度设计10.1.2 高对比度设计10.1.3 高响应速度设计10.2 面向特殊画质的高品质设计10.2.1 闪烁机理与设计对策10.2.2 串扰机理与设计对策10.2.3 显示不均机理与设计对策10.3 合格率设计10.3.1 工程检查及相关设计10.3.2 ESD改善设计10.3.3 点缺陷修复设计10.3.4 线缺陷修复设计10.4 低成本设计10.4.1 4MASK设计10.4.2 省UV MASK设计10.4.3 低材料成本设计第十一章 LTPS TFT-LCD原理与设计11.1 LTPS TFT原理与设计11.1.1 LTPS TFT器件基础11.1.2 LTPS TFT特性设计11.1.2 LTPS TFT工艺技术11.2 LTPS TFT-LCD周边电路集成设计11.2.1 模拟输入电路集成设计11.2.2 DAC内置电路集成设计11.3 半透过型LTPS TFT-LCD原理与设计11.3.1 半透过型LTPS TFT-LCD11.3.2 半透过型TFT-LCD的反射光学设计11.3.3 半透过型TFT-LCD的偏光光学设计
进入下载：
下载一： 下载二：
订阅微信二维码
站长工具：
实用工具：
Copyright &
all rights reserved