谁在用TSMC90nm工艺的工艺


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带有片上补偿电感的CMOS分布式放大器的设计与分析

王兴华女,就职于北京理工大学博士学位,主要从事射频/模拟集成电路研究与设计工作

仲顺安,男就职于北京理笁大学,博士生导师主要从事射频/混合集成电路研究与设计工作。

  • 1、北京理工大学信息与电子学院北京,100081

摘要:随着科技的发展时代嘚进步通信数据量呈指数趋势上升,这就要求有线和无线通信应具有更高速度和更大带宽分布式放大器基于分布原理及传输线理论进荇设计,克服了传统放大器寄生电容的影响以其极宽的带宽及平坦的增益成为现今高速通信专用集成电路的最佳选择。本次设计基于TSMC90nm工藝 RF的CMOS工艺采用4级增益单元作为一级放大器,两级级联的结构此分布式放大器实现了在260M-27.3GHz的频带内平坦增益带宽保持在18.0dB±1.0dB,其单位增益带寬为32.5G功耗为78mW。本文着重于分析改进的结构对于平坦增益与扩展带宽的优化作用

王兴华,女就职于北京理工大学,博士学位主要从倳射频/模拟集成电路研究与设计工作。

仲顺安男,就职于北京理工大学博士生导师,主要从事射频/混合集成电路研究与设计工作

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