{"subject":"SCI收录杂志名录KLM","content":"发信人: starl.bbs@bbs. (wits), 信区: Chemistry
标&&题: SCI收录杂志名录KLM
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※ 来源:·我爱南开站 bbs.·[FROM: 202.117.211.81]&& ","ajax_st":1,"ajax_code":"0005","ajax_msg":"操作成功"}麦立强_武汉理工大学麦立强_大学教师库_高等教育资讯网
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麦立强老师介绍
1975年12月出生，男，工学博士，副教授，硕士生导师。现任中国材料研究学会青年委员会理事，国际固态离子学会、美国材料研究学会、美国纳米与技术协会、美国化学学会、中国硅酸盐学会会员及Advanced Materials、Chemical Communications、Journal of Physical Chemistry B、Journal of Solid State Chemistry、《功能材料》等刊物审稿人 教育经历8.7 太原理工大学无机非金属材料专业，获工学学士学位 1.7 桂林工学院无机材料专业，获工学硕士学位(导师：邹正光教授) 4.6 武汉理工大学材料学专业，获工学博士学位(导师：陈文教授) 2006.2~至今 美国佐治亚理工学院纳米科学和技术中心访问学者 (导师：王中林教授) 工作经历 4.10 武汉理工大学材料科学与工程学院讲师 2004.10~至今 武汉理工大学材料科学与工程学院特聘为副教授 2005.9~至今 武汉理工大学材料科学与工程学院硕士生导师 研究领域 1．纳米半导体材料与器件 2．光电信息及特种功能材料 3．新能源材料 科研项目 主持承担了湖北省自然科学基金、武汉市青年科技晨光计划、日本旭硝子(NSG)基金、硅酸盐材料工程教育部重点实验室开放基金等项目，并作为学术骨干参加了国家自然科学基金、教育部跨世纪人才培养计划基金、教育部高等学校博士点专项科研基金等科研项目 (1) 湖北省自然科学基金（2006ABA310）：阵列化二氧化钒纳米棒的构筑与磁性能，07.12，项目负责人 (2) 日本旭硝子(NSG)基金（2005）：Modification and optical-limiting of novel 1-D vanadium oxide nanomaterials，6.12，项目负责人 (3) 武汉市青年科技晨光计划项目（2006）：二氧化钒纳米棒的组装及磁性能研究，7.12，项目负责人 (4) 硅酸盐材料工程教育部重点实验室（武汉理工大学）开放课题: 用于建筑物室温调节的二氧化钒纳米薄膜研究，5.12，项目负责人，已完成 (5) 国家教育部科技研究重点项目（104207），钒氧化物纳米管/棒有序阵列的构筑及其功能性研究， 6.12，项目学术骨干 (6) 国家自然科学基金（）：钒氧化物纳米管的流变相-自组装合成及拓扑反应修饰， 6.12，项目学术骨干 (7) 教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划：6.12，项目学术骨干 (8) 国家自然科学基金国际合作研究项目（中-俄）：聚合物-层状氧化物纳米复合材料的合成和物理化学性能的研究，05.12，项目学术骨干，已完成 (9) 湖北省杰出青年基金（），钒氧化物纳米管的合成及修饰， 5.12，项目学术骨干，已完成 (10) 国家教育部“跨世纪优秀人才培养计划”基金，聚合物/层状无机物纳米复合材料的电致变色机理， 4.12，项目学术骨干，已完成 主要奖励及荣誉 2006 全国优秀博士学位论文提名论文 2006 入选Who’s Who in Science and Engineering 及Who’s Who in Asia, 2007(Marquis Who’s Who LLC, New Providence, NJ, U.S.A.) 2005 中国硅酸盐学会第五届优秀论文奖(排名第二) 2005 入选湖北省新世纪高层次人才工程计划(第三层次) 2005 湖北省优秀博士学位论文 2004 武汉理工大学“五四青年奖章” 2004 指导学生获首届中国青少年科技创新奖 2004 湖北省大学生优秀科研成果一等奖(排名第二) 2004 全国大学生挑战杯竞赛二等奖武汉理工大学优秀指导教师 2004 广西科学技术进步三等奖(排名第三) 2003 中国硅酸盐学会2003年学术年会优秀论文奖(排名第一) 近期代表性论文及专著 近五年发表学术论文65篇，其中被SCI收录34篇，EI收录42篇，ISTP收录11篇，并在国际著名的Nano Lett、Chem Mater等刊物上被他人引用47次 代表性论文 1. LQ Mai, CS Lao, B Hu, J Zhou, YY Qi, W Chen, ED Gu. ZL Wang, Synthesis and electrical transport of single crystal NH4V3O8 nanobelts. J Phys Chem B, ):
(SCI, 影响因子IF: 4.033) 2. LQ Mai, B Hu, T Hu, W Chen, ED Gu. Electrical property of Mo-doped VO2 nanowire array film by melting-quenching sol-gel method. J Phys Chem B, 110(38):
(SCI, IF: 4.033) 3. LQ Mai, W Chen, Q Xu, JF Peng, QY Zhu. Mo doped vanadium oxide nanotubes: microstructure and electrochemistry. Chem Phys Lett, : 307-312(SCI, IF: 2.438) 4. LQ Mai, W Chen, Q Xu, QY Zhu, CH Han, JF Peng. Cost-saving synthesis of vanadium oxide nanotubes. Solid State Commun, ): 541-543(SCI&EI) 5. LQ Mai, W Chen, Q Xu, QY Zhu, CH Han, WL Guo. Influence of surface modification on structure and electrochemical performance of LiNi0.5Co0.5VO4. Solid State Ionics, -4: 205-208(SCI&EI) 6. LQ Mai, W Chen, Q Xu, JF Peng, QY Zhu. Low-cost synthesis of novel vanadium dioxide nanorods. Intl J Nanoscience, ): 225-231 (EI, 被该刊物评为Top 4th Accessed Article) 7. LQ Mai, W Chen, Q Xu. Effect of modification by poly (ethylene-oxide) on reversibility of insertion/extraction of Li+ ion in MoO3 xerogel films. MicroElectronic Engineering, -4): 199-205(SCI&EI) 8. LQ Mai, W Chen, Q Xu, QY Zhu, CH Han, JF Peng. Self-assembling synthesis of vanadium oxide nanotubes and simple determination of the content of V(IV). J Wuhan Univ Technol-Mater Sci, ): 21-23(SCI&EI) 9. W Chen, LQ Mai, YY Qi, Y Dai. One-dimensional nanomaterials of vanadium and molybdenum oxides. J Phys Chem Solids, -6): 896-902(SCI&EI) 10. W Chen, LQ Mai, JF Peng, Q Xu, QY Zhu. FTIR study of vanadium oxide nanotubes from lamellar structure. J Mater Science, ):
(SCI&EI) 11. W Chen, LQ Mai, JF Peng, Q Xu, QY Zhu. Raman spectroscopic study of vanadium oxide nanotubes, J Solid State Chem, ):377-379(SCI&EI, IF: 1.725) 12. W Chen, LQ Mai, Q Xu, QY Zhu, HP Yang. Novel soft solution synthesis and characterization of submicromic LiCoVO4. Mater Sci Eng B, ): 221-224(SCI&EI) 13. WL Guo, LQ Mai, W Chen, Q Xu, QY Zhu. Synthesis, structure and electrochemical performance of nano-sized LiNi0.5Co0.5VO4. J Mater Sci Lett, ): (SCI&EI) 14. W Chen, Q Xu, YS Hu, LQ Mai, QY Zhu. Effect of modification by poly (ethylene-oxide) on reversibility of insertion/extraction of Li+ ion in V2O5 xerogel films. J Mater Chem, 26-1929(SCI, IF: 3.688) 15. 麦立强, 陈文, 徐庆, 朱泉i. 柠檬酸凝胶法燃烧合成新型LiCoVO4锂离子电池阴极材料. 无机材料学报, ): (SCI&EI) 16. 陈文, 麦立强, 徐庆, 彭俊锋, 朱泉i. 钒氧化物纳米管的合成、结构及电化学性能. 高等学校化学学报, ): 904-907(SCI&EI) 国家发明专利 1. 二氧化钒纳米棒及其制备方法（授权号：ZL .X）（排名第二, 导师第一） 2. 金属阳离子掺杂的钒氧化物纳米管及其制备方法（授权号：ZL ）（排名第二, 导师第一） 3. 一种有机酸络合燃烧合成锂离子电池正极材料的方法（授权号：ZL）（排名第二, 导师第一） 4. 二氧化钒纳米棒由B相向M相转变的处理方法(授权号：ZL .8) （排名第二, 导师第一） 5. 空穴传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法（授权号：ZL）（排名第七） 6. 电子传导型半导体陶瓷制冷材料及其制备方法（授权号：ZL）（排名第七） 7. 一种表面修饰的纳米LiMVO4正极材料及修饰方法(3)（日公开,排名第二, 导师第一） 8. 三氧化钼层叠纳米棒及制备方法（.9）（日公开, 排名第二, 导师第一） 9. LiFePO4纳米棒的制备方法（.7）（日公开, 排名第二, 导师第一） 主要学术会议 1. October 23-26, 2005, the Fourth China International Conference on High-Performance Ceramics, Chengdu, China: One-dimensional oxide nanomaterials through rheological self-assembling (Invitation, the chairman of the session): 2. June 6-9, 2005, the 13th International Symposium on Intercalation Compounds, Clermont-Ferrand, France: 1-D nanomaterials of vanadium and molybdenum oxides (Invitation, the chairman of the session) 3. November 29-December 3, 2004, the MRS 2004 Fall Meeting, Boston, USA: Optical property of vanadium oxide nanotubes suspensions 4. October 24-28, 2004, the 12th Chinese Conference on Solid State Ionics, Suzhou, China: Synthesis and Electrochemical Performance of Vanadium Oxide Nanotubes/Nanorods (Invitation) 5. September, 2004, the 5th National Conference on Functional Materials and Applications, Beijing-Qinghuangdao, China: Synthesis, structure and properties of one-dimensioned vanadium oxide materials (Invitation) 研究组主要成员 硕士研究生：郭万里、胡彬、胡波、高媛 本科生：胡涛、徐林等 联系方式 电话：027- E-mail：; Liqiang.mai@mse.gatech.edu 实验室：逸夫楼5楼
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关键词：纳米,光刻,物镜,精度,理论,
由长春光机所，成都光电所和国防科大联合攻关的32一45纳米光刻机关键技术已突破
光刻物镜光学零件制造关键技术概述
Overview of Key Technologies for Optical Manufacturing of Lithographic Projection Lens
【作者】戴一帆；彭小强；
【Author】 DAI Yifan PENG Xiaoqiang (College of Mechatronic Engineering and Automation, National University of Defense Technology, Changsha 410073)
【机构】国防科学技术大学机电工程与自动化学院；
【摘要】光刻物镜制造是当前超精密光学加工领域的发展前沿,其加工精度要求达到纳米甚至亚纳米量级。围绕光刻物镜纳米精度制造、超光滑表面生成和特殊材料加工等要求,提出纳米精度制造的关键性理论和方法。基于Sigmund溅射理论,研究高效原子量级材料去除可控性,为纳米精度生成提供了基础;提出材料添加和去除相结合的方法,克服传统误差高点去除光学制造理论局限,为纳米精度和超光滑表面生成提供了思路;针对单晶CaF2纳米制造的各向异性,研究可控柔体抛光理论,克服传统刚性盘抛光差异性适应能力局限,建立各向异性材料的一致性去除理论。在自行研制的装备上进行了相关的工艺试验,实现了光学零件的超高精度加工,从加工角度看,已基本掌握193nm光刻物镜光学零件加工的理论、工艺和装备技术。
ki.net/kcms/detail/11.2187.TH.5.048.html
看论文介绍，NA值为1.35，45纳米光刻机的标准
不是九十纳米吗？到底是多少纳米？
本帖最后由 hswz 于
01:58 编辑
回味秦朝 发表于
不是九十纳米吗？到底是多少纳米？
90纳米是巳研制成功的，主要靠海归，但目前没人用，45纳米是正在研制的，关键技术靠国内
光源搞定了吗？这个只是镜头搞定啊！
中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？
从无到有，从有到好，从好到硬，从硬到霸，从霸到王
本帖最后由 hswz 于
00:25 编辑
哈工大负责研制光源,巳研制出100hz原理样机,正在研制1Khz 毛细管放电Xe等离子体极紫外光刻光源
/c?m=9f65cb4a8c8507ed4fecee54f73f6b33fcca3ecc57bfdfb48cc8ff109be4cc3c6adbfbaae2b86f96adf14284ded7c4aed85e78a2a4a43dd6eb1ead9af9ead4b3cb23dac63b05c467b36e6d827ea4ae65a6eaeb7b0fc388acbeb418f8cc8bfded55c8bcc9b82ac1&p=c267ce15d9c046aa1cb5d02d0214cc&newp=8b2aeac5fe8c92bdb2151ddd316289e&user=baidu&fm=sc&query=%C3%AB%CF%B8%B9%DC%B7%C5%B5%E7Xe%B5%C8%C0%EB%D7%D3%CC%E5%BC%AB%D7%CF%CD%E2%B9%E2%BF%CC%B9%E2%D4%B4%D1%D0%BE%BF%BD%F8%D5%B9&qid=&p1=6
围观_群众 发表于
中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？
光源什么时候能够搞定？我觉得国防科大的镜头加工到不是问题了。我国每年进口光刻机生产的产品总额超过原材料进口的总额。期待早日研制成功！！
梦中刺桐城
asml神一般的工业母鸡。
围观_群众 发表于
23:35 static/image/common/back.gif
中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？
ASML，独此一家，nicon现在也跟不上了！
本帖最后由 hswz 于
01:31 编辑
回味秦朝 发表于
光源什么时候能够搞定？我觉得国防科大的镜头加工到不是问题了。我国每年进口光刻机生产的产品总额超过原材 ...
上海微电子已研制成功的90纳米光刻机已采用ArF光源,但 SSA600/20 步进扫描投影光刻机,其孔径值NA只有0.75,如果该光刻机光源不变,换用国防科大NA值为1.35的镜头,应该可在不做大的改进下升级为32一45纳米光刻机
193nm Arf光源还大有潜力可挖
==半导体产业已经迈入14nm制程，2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说，传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm，这意味着如果EUV技术再次推迟应用，到2015年制程将暂时在10nm徘徊。除非等到EUV技术成熟，制程才能再继续缩小下去。依目前的态势，即便EUV成功也顶多还有两个台阶可上，即7nm或者5nm。因为按理论测算，在5nm时可能器件已达到物理极限。
hswz 发表于
哈工大负责研制光源,巳研制出100hz原理样机,正在研制1Khz 毛细管放电Xe等离子体极紫外光刻光源
http://cac ...
kao 放电等离子dpp 这家伙都要上啊 上海光机所是激光等离子lpp的
本帖最后由 hswz 于
08:48 编辑
jeciq 发表于
kao 放电等离子dpp 这家伙都要上啊 上海光机所是激光等离子lpp的
应该是国内两路都在进行,一路是ArF不断演进,先干式,再浸入式,孔径不断变大,再多次图形曝光,另一路是EUV
hswz 发表于
上海微电子已研制成功的90纳米光刻机已采用ArF光源,但 SSA600/20 步进扫描投影光刻机,其孔径值NA只有0. ...
光刻机搞定了，想想下我们可以多进口一倍的原材料，那是多么富有啊，进入发达国家妥妥的了。有了这钱再投资航母和机床和航空发动机！！！
这个是好消息。
要置齐全套芯片生产设备，还需要什么关键的东西？
我记得CCTV好像报道过，我国在深紫外光源方面的技术水平还是很高的，部分技术世界领先。
报道中还说到，好像有外国的科研机构想要来交流，我们没同意，说是该技术对外封锁。
ha 光刻机要变成非高科技了
jeciq 发表于
ha 光刻机要变成非高科技了
这个东西搞定，起码少进口3000亿美元
搞定后要尽快进入市场！美鬼卡脖子的机会又少一个鸟！
看来45纳米光刻机估计还是上海微电子搞
上海市科委基础研究重点项目
“光刻成像焦深延拓与像质原位检测的理论和实验研究”通过验收
近日，由中科院上海光机所牵头，上海理工大学、国家光刻设备工程技术研究中心共同承担的上海市基础研究重点项目“光刻成像焦深延拓与像质原位检测的理论和实验研究”通过上海市科委验收。
极大规模集成电路已成为几乎一切高技术领域发展的基础。新一代集成电路的出现，总是以光刻工艺实现更小的芯片特征尺寸为主要技术标志。根据2009年国际半导体技术蓝图，193纳米浸没式光刻技术是45纳米以下节点重要的光刻技术，经过技术创新可延伸至16纳米节点。在超大数值孔径投影物镜与偏振光照明条件下，如何通过理论创新和突破，发展适用于上述节点的193纳米浸没式光刻机的像质原位检测技术与焦深延拓技术是该领域面临的一个重要研究课题。
上海光机所王向朝研究员研究团队、上海理工大学庄松林院士研究团队与国家光刻设备工程技术研究中心密切合作，在光刻机像质原位检测技术与光刻成像焦深延拓技术研究领域取得了重大进展。在大视场、大数值孔径投影物镜与偏振光照明条件下，基于掩模电磁场三维散射理论与物方衍射的偏振和非近轴特性，建立了描述光刻系统像空间光场分布的矢量场衍射理论与光刻矢量场成像理论模型；基于Hopkins部分相干成像理论和非近轴标量场成像条件，通过引入倾斜因子分别从振幅和相位两方面对国际现有光刻成像理论进行了修正，完善了标量场光刻成像理论模型；基于电磁波矢量平面波谱理论建立了应用于共轴光学系统和双折射光学系统的光学矢量场成像理论模型，发展了矢量场衍射的焦深延拓理论模型。在此基础上，该项目建立了投影物镜波像差检测线性模型，研究了能够较大幅度提高测量精度的投影物镜波像差检测新技术，研究了浸没式光刻机偏振照明优化技术，分析了特殊偏振光产生与转换调节新方法。项目相关研究成果已在上海微电子装备有限公司研发的步进扫描投影光刻机上得到应用。
在项目研究过程中，项目组建立了光学成像系统聚焦区三维光强分布纳米级分辨率测量平台与光刻机像质原位检测技术基础研究实验平台。项目组在国际一流光学期刊《Optics Express》、《Applied Optics》、《Journal of Optics Society of America A》、国际一流微电子期刊《Microelectronic Engineering》等学术刊物上发表SCI收录论文20篇，申请国家专利31项，其中发明专利27项。（信息光学与光电技术实验室供稿）
本帖最后由 hswz 于
20:43 编辑
偏振光和白俄罗斯一起搞
科技部国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”召开技术研讨会
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物镜偏心测试技术及装置是高精度物镜装配技术的核心之一，为了提高我国在此技术领域的技术水平，日至15日，科技部中白联合国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”的子课题“高精度无应力光机结构设计与装配平台研发”技术研讨会在长春光机所应用光学国家重点实验室召开，白俄罗斯KBTEM-OMO公司、长春光机所、上海光机所、成都光电所与北京光电院的相关技术专家参加了本次会议。
本次研讨会重点开展了高精度装调平台概念设计及设计指标分析确定研讨，双方专家就白方所作的“高精度装配平台的工作原理与应用”、“装配平台概念设计”与长光所方所作的“0.2微米定心装配平台初始设计指标分析及确定”三个技术报告进行了深入的交流和详细的讨论。通过交流和讨论，双方明确了在高精度装调平台研发项目中的任务分工与光机电接口关系，确认了关键的光机电技术指标，并制订了双发下一步的研究内容和工作计划。此外，白俄罗斯专家还参观了应用光学国家重点实验室及长光博物馆等设施和展馆。
经过共同努力，中白双方最终签署了会议备忘录，本次研讨会圆满完成。
科技部国际科技合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”技术研讨会在上海光机所召开
信息来源：上海光学精密机械研究所 发布时间：日 【大 中 小】 【打印】 【关闭】
9月2至8日，科技部中白国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”课题1与课题4的技术研讨会在上海光机所召开，白俄罗斯KBTEM-OMO光学公司、上海光机所、长春光机所、光电研究院与成都光电所的专家及中国长城工业集团有限公司的代表参加了会议。
本次会议的议题是对白俄罗斯KBTEM-OMO光学公司所作的高端光刻机偏振照明系统的初步设计方案和照明光瞳偏振参数检测传感器的机械设计方案进行评审。会议期间，双方重点就上述两个设计方案的创新性与可行性进行了详细与深入的讨论，并制订了下一步合作研究的计划与工作重点。（信息光电实验室供稿）
偏振光我们还是小学生
德国耶拿大学教授到上海光机所交流
文章来源：上海光学精密机械研究所 发布时间： 【字号： 小 中 大】
10月8日，德国耶拿大学（Friedrich-Schiller-University Jena）Frank Wyrowski博士到中科院上海光学精密机械研究所开展学术交流并作学术报告。
在题为Optical Modeling Beyond Ray Tracing的报告中，Frank Wyrowski博士详细阐述了用于复杂光学系统的仿真方法——场追迹，讨论了场追迹方法在光源设置、光学系统建模和光学参数输出方面的优势，并对高端光刻机偏振照明系统的整体性能仿真提出了有价值的建议。相关研究人员和研究生参加了学术讨论会。另外，双方就今后拟开展的具体合作领域达成意向。
Frank Wyrowski博士自1996年起受聘为德国耶拿大学技术物理学教授、光学工程部主任，目前主要从事基于场追迹方法的光学系统仿真研究，该方法能够实现包含衍射光学元件、微透镜阵列组件、传统光学透镜在内的复杂光学系统的仿真，将为高端光刻机偏振照明系统的整体性能仿真与分析提供一条有效的研究途径。
看论文分析. /p-.html
,65纳米可以还采用干式,45纳米就必须用浸入式了
为了 实现45 nm 的分辨率，浸没式投 影物镜的数值孔径一般大于1.2， 因此在浸没式光刻机中一般采用 偏振光照明技术以保证较高的成 像对比度。 ArF 浸没式光刻技术不需要 研发新的掩模、透镜和光刻胶材 料，甚至还可以保留现有 ArF 干 式光刻机的大部分组件，仅需对 部分分系统进行改进设计即可。 因此，ArF 浸没式光刻机的研发 成本将得到有效控制。ArF 浸没 式光刻机将是 65 nm 和 45 nm 节点的主流光刻设备，且有潜力 延伸到更小的节点。
干式 ArF光刻机正在 90 nm 节点的制造工艺中发挥着重要作 用。浸没式技术的到来并没有阻 止干式 ArF光刻机继续向前发展 的步伐。最近，ASML 和Nikon分 别推出了最新型的干式ArF 光刻 机，数值孔径均达到 0.9 以上，结 合分辨率增强技术和偏振光照明 技术，完全可以胜任65 nm 节点 的工艺制造。 ASML 公司于2005 年推出了 最 新 的 干 式 ArF 光 刻 机 TWINSCAN XT:1400
。它使用了 Carl Zeiss 公 司 最 新 设 计 的 Starlith TM 1400 投影物镜，最大数值孔径达到 0.93，具备较好的像 差和杂散光控制，使实现 65 nm 的光刻分辨率成为可能。
hswz,您认为中国的32纳米光刻机两年内可以做成吗？
回味秦朝 发表于
hswz,您认为中国的32纳米光刻机两年内可以做成吗？
不可能,最大可能先出65纳米干式,再出45纳米浸入式
论文和我猜想的一样,上海微电子正在研发65纳米干式光刻机
光刻机多面体主基板的设计与算法
论述了一种扫描式投影曝光光刻机主基板的设计制造过程,在该主基板上需要安装投影物镜和多个纳米级高精度测量分系统.为满足设计需求,规划了整机内部结构所需占用的最小三维空间,并基于计算几何的方法设计主基板和测量支架.首先进行数据的采集,对主基板和测量支架的安装面上的接口和支撑位置进行有效定义,明确所有相关接口在三维空间内的位置数据；其次采用凸包算法求解获得主基板多面体的外形轮廓,由于光刻机内部结构的复杂性,还要对模型进行局部修正；再次,结合平面切剖多面体算法设计主基板内部结构；最后,经有限元仿真验证取得了提高振动模态和减小结构质量的双重改进效果,达到了设计性能指标并且该结构适合工程制造.作者：吴飞王茜袁志扬魏巍陈文枢Author：Wu FeiWang QianYuan ZhiyangWei WeiChen Wenshu作者单位：上海微电子装备有限公司,上海,201203期 刊：中国机械工程ISTIC
听了您的话，绝望了，10年追不上！！难道就不能跳过某些阶段吗？比如直接32纳米？光刻机超重要啊！相当于一个波斯湾的石油加一个巴西的铁矿石啊的价值啊！
回味秦朝 发表于
听了您的话，绝望了，10年追不上！！难道就不能跳过某些阶段吗？比如直接32纳米？光刻机超重要啊！相当于一 ...
也不是这一个拉
每年都要从德国进口大批的机械设备
等等吧,忍忍吧.
hswz 发表于
22:29 static/image/common/back.gif
论文和我猜想的一样,上海微电子正在研发65纳米干式光刻机
光刻机多面体主基板的设计与算法
论述了一种扫描式投影曝光光刻机主基板的设计制造过程,在该主基板上需要安装投影物镜和多个纳米级高精
ASML和Nikon现在最新技术到哪个程度了？ASML现在在主攻EUV吗？
机械差距倒没有那么大！机械的子系统可以分项进入市场检验，但光刻机不行，这几年机床进步还是挺大的，已近有自己的系统了。
回味秦朝 发表于
22:40 听了您的话，绝望了，10年追不上！！难道就不能跳过某些阶段吗？比如直接32纳米？光刻机超重要啊！相当于一 ...
十二五规划都不敢做这个梦
　集成电路生产设备：实现8英寸0.13微米集成电路成套生产线设备和12英寸65纳米-45纳米集成电路关键设备产业化，除光刻机外，包括刻蚀、封测设备等基本缩小差距至1代甚至基本同步
十二五能把65做能出来实用了 就已经红果果了
唉，早就绝望了，不过跨时代的飞跃也不一定，石墨烯就是中国最先量产的。
其实有时候就是一层窗户纸 等待捅破它 是可以实现质的飞跃的
不光是集成电路制造设备 整个集成电路产业奇缺高端人才工艺研发 IC设计 更是没有强有力竞争的集成电路企业。
vayblin 发表于
ASML，独此一家，nicon现在也跟不上了！
还有应用材料,LAM
荒野求生911
hawkcwq 发表于
我记得CCTV好像报道过，我国在深紫外光源方面的技术水平还是很高的，部分技术世界领先。
报道中还说到，好 ...
以前小鬼子的那套不管用了
围观_群众 发表于
中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？
荷兰这鼻屎国家的。
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